FDV301N n沟道MOSFET

FDV301N半导体器件被称为场效应晶体管(金属氧化物半导体场效应晶体管)，在应用中用作高速开关器件。该器件是一种n沟道增强模式场效应晶体管，使用ON Semiconductor专有的高密度DMOS技术生产。这种非常高密度的过程是特别定制的，以最小化ON状态电阻。由于该器件是逻辑级MOSFET，它可以被+3.3V和+5V的数字电路电压触发到ON。

销的配置

FDV301N是一个三引脚设备，如图所示，每个引脚的功能如下所示。

销	的名字	函数
1	排水	电流从这个引脚进入设备。
2	门	MOSFET的开关取决于施加在这个引脚上的电压。
3.	源	流入设备的电流通过这个引脚流出。这个引脚通常是接地的。

FDV301N功能和电气特性

• 逻辑级MOSFET -极低电平栅驱动要求，允许在3V电路中直接操作。
• 非常低的开启电阻:RDS(ON) = 5Ω @ VGS= 2.7 V, RDS(ON) = 4Ω @ VGS= 4.5 V。
• 用于ESD强度的栅源齐纳器(>6kV)
• 用一个DMOSFET替换多个NPN数字晶体管。
• 最大漏源极电压:25V
• 最大门源电压:8V
• 最大连续漏极电流:0.22A
• 最大漏极电流允许:0.5A
• 工作温度范围:-55ºC ~ 150ºC
• 最大功耗:0.35W

类似的场效应管

Bf995, tp0101t, tp0202t, irlml2402

FDV301N使用

• FDV301N是一个数字MOSFET通过对其门极施加低至2.0V的电压可以触发ON。在这种情况下，该装置可用于所有低压数字电路。
• FDV301N也可以作为一种高速开关设备，替代数字电路中的所有传统晶体管，因为它是专门为高速开关应用而设计的。
• 该器件具有非常低的通断电阻，这在某些应用中是必须的条件。
• 该器件也适合于高效率的应用，因为在开关过程中低的跌落导致更少的功率损耗，更少的功率损耗将提高系统的效率。

如何使用FDV301N

为理解工作的FDV301N让我们考虑如下所示的一个简单的应用电路。

在电路中，FDV301N被用作简单的开关装置开关负载为LED。有两个电源，一个(5V)为负载LED供电，另一个(3.3V)为MOSFET栅极提供电压。按钮是启动设备的触发器。

现在让我们回忆一下n沟道增强MOSFET的特性:

• 当栅极-源极结的电压不满足阈值时，MOSFET不导电。
• 通过漏极的电流由达到某一点的栅极电压决定。因此，较高的栅极电压，降低MOSFET的导通电阻和较高的漏极电流。此外，MOSFET只在存在栅极电压时导电，因此栅极电压消除的瞬间，MOSFET停止导电。

上述电路中的器件将应用相同的特性。因此，当按钮没有按下，将没有栅极电压和MOSFET将不导电的电流。在没有栅极电压的情况下，MOSFET作为开路，整个+5V的电源电压出现在整个设备上。

按下按钮的瞬间，在器件的栅极处出现+3.3V的正电压。根据图中显示的器件的传输特性，2.5V的栅极电压足以使器件开始导电。

当漏极电流流动时，一个电压出现在LED上，打开它，它将停留在那个状态，直到按钮被释放。这样我们就可以通过拨动按钮来打开和关闭负载。在高频应用中，我们用单片机PWM或其他控制信号代替按键。

因此，通过使用上述电路，我们已经使用FDV301N作为开关器件，并以类似的方式，我们可以在其他应用电路中使用该器件。

应用程序

• 直流-直流转换器。
• 电池供电的系统。
• 显示驱动程序。
• 电源管理功能。
• 记忆电路。
• 基本切换应用程序。
• 继电器驱动程序。

2维模型