2N5551 NPN放大器晶体管
2N5551.PIN配置
PIN码 |
PIN名称 |
描述 |
1 |
发射器 |
电流通过发射器排出，通常连接到地面 |
2 |
根据 |
控制晶体管的偏置，用于打开或关闭晶体管 |
3. |
集电极 |
电流通过收集器流入，通常连接到负载 |
功能和规格
- 放大器NPN晶体管
- 高直流电流增益（HFE），通常为80 inc = 10ma时
- 连续收集器电流（IC）为600mA
- 集电极 - 发射极电压（VCE）是160 V
- 集电极基电压（VCB）为180V
- 发射极底座电压（VBE）是6V
- 过渡频率为100MHz
- 可用于-92包
笔记：完整的技术细节可以在其中找到2n5551数据表在本页结束时给出。
替代NPN晶体管
BC549.，bc636，BC639.那BC547.，2n2369，2n3055那2N3904那2N3906那2SC5200.
2N5551等效晶体管
NTE194,2N5833，2n5088，2n3055，2n5401.（PNP）
相同的家庭晶体管
2n5550.
在哪里使用2n5551
这2N5551.是一个NPN放大器晶体管当集电极电流为10mA时，具有80的放大因子（HFE）。它还具有体面的切换特性（过渡频率为100MHz），因此可以放大低电平信号。
由于该特征，晶体管通常用于放大音频或其他低功率信号。因此，如果您正在寻找用于放大器电路的NPN晶体管，则该晶体管可能是正确的选择。
如何使用2n5551
如前所述2N5551 NPN晶体管广泛用于扩增。下面示出了用于晶体管的非常简单的裸露最小电路，以作为放大器的工作。也可以找到显示放大的输出正弦波的模拟图。
这里，输入正弦波8mV（黄色）被放大到50mV（粉红色），如图所示。在上述电路中，电阻器R3和R4形成潜在分频器，该潜在分频器决定发射器-Base电压（V.是）。电阻器R1是负载电阻器，电阻器R2是发射极电阻器。改变r的值L.将影响输出波的放大。
晶体管通常是电流放大器，这意味着在流过收集器的电流中将放大底座的电流。该扩增取决于扩增因子（H.Fe.）28551的80。这意味着收集电流将被放大80倍而不是基电流的电流。
一世C=βi.B.
我们所考虑的另一个目前是发射极限（我E.）但是由于晶体管动作，我们假设发射极电流几乎等于集电极电流的值，但是可以找到两个α之间的差值。通常，收集器电流的值将给出
一世E.= I.C+ I.B.
在集电器 - 发射极电压的收集器上获得输出（Vce）。该输出电压取决于输入电压（此处12V）而不跨越负载电阻（R1）的电压降。因此，可以给出输出电压Vout
Vout = vce =（vcc - 红十字会）
应用程序
- 低功率放大器
- 目前的放大器
- 小信号助推器
- 音频或其他信号放大器
- 达灵顿对
2D模型和尺寸
如果您使用此组件设计PCD或PERF板，则来自以下图片2n5551数据表知道其包装类型和尺寸是有用的。
