2N5457通用N沟道JFET
2N5457是一种n沟道耗尽层结场效应晶体管。该JFET是一种N通道耗尽层JFET,广泛用于音频设备的放大、音调调制和其他用途。它的漏源极电压为25 Vdc,漏极门电压为25 Vdc。反向栅源电压为-25V。
2N5457 JFET引脚说明
密码 |
密码名 |
描述 |
1. |
排水 |
JFET的漏极引脚 |
2. |
来源 |
JFET的源引脚 |
3. |
大门 |
JFET的栅极引脚 |
2N5457 JFET的特点和规格
- 类型:JFET-N-沟道-耗尽型
- 部分:一般用途
- 漏极至源极电压(VDS)=25V
- 漏极至栅极电压(V危险品)=25V
- 栅极到源极电压(VGS)=-25V
- 栅极电流(IG)=10毫安
- 门源截止电压-VGS(关)=-6.0 Vdc(VDS=15 Vdc,ID=10 nAdc)
笔记:完整的技术细节可在2N5457数据表,链接在此页底部。
替代产品2N5457 JFET
另外2N5457的替代品JFET是2N5458、J107、J309、BF246B等
2N5457 JFET-概述
2N5457是一个n沟道JFET。适用于一般用途的放大和开关等应用。下图是共源传输图,有助于了解JFET的共源传输特性。这个JFET对于开关相关的应用也很有用。
如何选择JFET
1.选择应用所需的JFET类型。2N5457是一种N沟道JFET,因此适合用于功率路径的低端。如果应用程序需要高压侧切换,则使用P通道。
2.计算目标应用的最大漏源电压和栅源电压。选择漏源和栅源击穿电压高于实际要求的JFET。2N5457支持25V漏源击穿电压和-25V栅源击穿电压。
3.计算最大漏电流。选择一个JFET,该JFET可以承受超过实际应用所需的漏极电流。2N5457可工作至0.005A的连续漏极电流(ID).
2N5457 -接口图
下图显示了N沟道JFET 2N5457作为放大器的标准应用。
C1是耦合电容器,C2是直流阻断电容器,输出将在此处收集。RC是集电极电阻器,改变该值将改变电路的频率响应,并且它将通过控制集电极电流来控制直流增益。R1和R2用作对JFET进行偏置的分压器。
12V工作时的典型值可以是R1 = 100k, R2 = 10k, RC = 10k, C1, C2可以是1uF的陶瓷电容器。
2N5457 JFET的应用
- 放大系统
- 小型开关应用
- 音频调制
- 音调控制
- 噪声发生器
2D型号2N5457
尺寸2N5457下面给出了这些选项,以帮助您选择正确的选项用于2N5457。