电隔离4A SiC栅驱动器提高了能量意识电力系统的稳健性和可靠性
意法半导体公司推出了一种单通道栅极驱动器STGAP2SiCSN，它采用了节省空间的窄体SO-8封装，是一种可选择的器件
SiC MOSFET
用于碳化硅mosfet的增强开关技术的AgileSwitch数字门驱动器
微芯科技公司宣布了一款新的1200V可生产数字门驱动器，以补充其广泛的碳化硅MOSFET分立和模块产品组合。
新一代4sic fet提供了电路稳健性和设计灵活性的新水平
UnitedSiC宣布了新的6mohm, 750V Gen 4 SiC fet，提供了强大的短路，RDS(on)值低于最近的SiC MOSFET竞争对手的一半。
RGWxx65C混合igbt系列，内置SiC二极管，用于汽车充电器和UPS
ROHM Semiconductor发布了RGWxx65C系列(RGW60TS65CHR，
紧凑的BM2SC12xFP2-LBZ功率集成电路，内置1700V SiC MOSFET，减少组件数量和上市时间
为了在单个表面安装的TO263 7L封装中实现更高的效率和增加的输出功率，ROHM宣布了BM2SC12xFP2-LBZ功率ic与集成1700V SiC MOSFET。
半桥2-PACK 1200V SiC mosfet用于电动汽车充电站的可靠和稳健运行
ON半导体公司推出了1200V全碳化硅(SiC) MOSFET 2-PACK模块对(NXH010P120MNF1和NXH006P120MNF2)，具有卓越的开关性能和增强的热效应，为电动汽车(EV)市场提供可靠性和健壮性。
液冷三相SiC MOSFET智能功率模块(IPM)在电动汽车和航空航天应用中的高效率和功率密度
CISSOID为其不断发展的三相碳化硅(SiC) MOSFET智能功率模块(IPM)产品平台增加了新的液冷模块，以降低开关损耗或提高功率。
用于安全控制SiC mosfet的双输入引脚电隔离栅驱动器
意法半导体公司推出了STGAPSiCS, 4A电隔离栅极驱动器，用于安全控制碳化硅(SiC) mosfet，并从高达1200V的高压轨运行。
AOM033V120X2Q:汽车级1200V/33mΩ αSiC mosfet，用于电动汽车的卓越性能和效率188金宝搏下载
Alpha和Omega semiconductor Limited合作推出AOM033V120X2Q, AEC-Q101 qualified 1200V/33mΩ
用于工业和汽车应用的高性能和可靠性的高效和稳健的第三代SiC mosfet
GeneSiC半导体公司推出了业界领先的1200V第三代G3R SiC mosfet，采用优化的低电感分立封装(SMD和通孔)。
Adam Tech线对板解决方案包括标准，电源，锁紧和锁定连接器。
ADA4570是一款带集成信号调理放大器和ADC驱动器的AMR传感器
TDK的小型化ACT1210D共模扼流圈是为汽车CAN-FD而设计的
STM32F2微处理器采用先进的90nm NVM工艺技术，配有自适应实时内存加速器
WR-FFC系列预折叠平面柔性电缆结构紧凑、轻薄，节省空间
Murata的小型传感器非常适合用于人体、物体和手势检测和距离测量
TDK-Lambda的i7C DC/DC转换器具有宽输出调节范围9.6 V至48v
PLC插入式耦合继电器无需专用工具即可轻松快速连接
