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Mosfet.

FQP30N60L MOSFET.
FQP30N60L N沟道功率MOSFET

FQP30N60L N沟道功率MOSFET

FQP30N60L是N沟道功率MOSFET,其具有适度的电流承载能力和高漏极源击穿电压。
IRRZ34N MOSFET.
IRRZ34N MOSFET.

IRLZ34N N沟道功率MOSFET

N沟道高功率MOSFET(金属氧化物 - 半导体场效应晶体管)是驱动微控制器的较高电压和电流的流行。
G3VM T-Configuration MOSFET继电器模块
G3VM T-Configuration MOSFET继电器模块

G3VM T模块:新型高压和高电流T配置MOSFET中继模块,具有极低漏电流

欧姆龙电子元件已释放其创新的T-Configuration MOSFET继电器模块的新型高压和高电流版本。新欧姆龙G3VM T模块o
IR2153半桥MOSFET驱动器
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IR2153自振荡半桥MOSFET驱动器

IR2153D是流行的IR2155和IR2151栅极驱动器IC的改进版本,并包含高压半桥栅极驱动器,前端振荡器类似于行业标准CMOS 555计时器。
P55NF06 MOSFET.
P55NF06 N通道功率MOSFET

P55NF06 N沟道功率MOSFET

P55NF06是N沟道MOSFET,具有50A的高漏极电流和18MΩ的低RDS值。它还具有20V的VGS,MOSFET将开始进行。因此,它通常用于驱动应用程序。
IRF530 MOSFET.
IRF530 MOSFET.

IRF530 N沟道MOSFET

IRF530是一种用于高速和高功率应用的N沟道MOSFET。它兼容以100V电压的连续电流维持14a。在脉冲模式下,它可以驱动高达56 A的负载。
IRF9540 MOSFET.
IRF9540 MOSFET.

IRF9540 P沟道MOSFET

IRF9540是一种P沟道MOSFET,可以将最大载荷电流驱动到-19a和高达-100V的电压。在脉冲模式下,它可以承受高达-72a的负载。IRF9540设计用于具有低导通电阻和快速切换。
最新发射的电子组件
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上周推出的新组件 - 8月30日

8月底是一个非常有趣的一周,为各种汽车,工业和空间应用推出了许多令人兴奋的组件。
IRF510 MOSFET.
IRF510 MOSFET.

IRF510 N沟道功率MOSFET

IRF510是第三代功率MOSFET,具有快速切换和低导通电阻的最佳组合。该组件以较低的成本提供。
IRF630 MOSFET.
IRF630 MOSFET.

IRF630 N沟道功率MOSFET

IRF630是第三代功率MOSFET专为需要高速切换而设计的应用。该组件是低导通电阻,经济高效和坚固设计的巨大组合。