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HEMT

Integra IGT5259L50 GaN/SiC晶体管
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全匹配IGT5259L50 GaN/SiC晶体管提供50W在5-6 GHz

Integra发布了一款全匹配GaN/SiC晶体管IGT5259L50,在5-6 GHz提供50W功率,专为脉冲c波段雷达应用而设计。
150V GaN HEMT器件
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用于工业和通信设备电源电路的具有8V栅击穿电压的150V GaN HEMT器件

ROHM为150V GaN HEMT器件引入了最高(8V)栅极击穿电压(额定栅源电压)技术,为工业和通信设备的电源电路优化。
CoolGaN 600V e模式HEMT
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CoolGaN 600V e-mode HEMT用于电信电源应用,提高效率和可靠性

英飞凌技术提供了CoolGaN,为电信供电系统提供最高的效率和可靠性。可在DFN8x8封装,CoolGan 600V e模式HEMT在德尔塔的DPR