TL071低噪声FET输入运算放大器
TL071H设备是行业标准设备的下一代版本。
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高性能650V和1200V D2PAK-7L紧凑型SIC FET，用于可靠的开关操作
UnitESIC通过推出了六个新的650V和1200V选项，扩展了其FET产品组合，可在30,40,80和150MΩ版本中提供。
650 V GaN FET用于减少形状因子，最大限度地减少80加钛级工业电源的系统成本
Nexperia推出了其第二代650V电源GaN FET器件系列，RDS（开启）性能低至35mΩ（典型）。
LefPak56D - 重复雪崩应用专用FET可节省空间，减少组件计数，提高动力总成应用的可靠性
Nexperia推出了重复的雪崩应用专用FET（ASFET）产品组合，可用于控制汽车电感载荷，例如螺线管和执行器。
650V和600V氮化镓（GaN）FET在汽车和工业应用中提供高功率密度和效率
来自德州仪器的新汽车甘FET是650-V和600-V镓
新的应用特定FETS（ASFET）具有电池隔离，电机控制，热插拔和PoE应用的参数优化
Nexperia推出了专用的专用FET（ASFET），其为MOSFET提供了针对特定应用的优化参数的MOSFET。
新的UF3C / UF3SC系列碳化硅FET系列，低RDS为7/9MΩ，以提高效率和较低的损耗
United SiC推出了一系列UF3C / SC SiC FET，得到了改进的，以提供更高的开关速度，更高的效率和更低的损失W
UF3C / SC - 低RDS SiC FET，提高效率和较低损耗
USEDIC介绍了UF3C / UF3SC系列SIC FET，基于独特的级联配置设计，可提供更高的开关速度，更高的效率和更低的损耗。
ADAM TECH电线式解决方案包括标准，电源和锁定和锁定连接器。
ADA4570是AMR传感器W /集成信号调节放大器和ADC驱动器
TDK的小型化ACT1210D共模Choke专为汽车Can-FD设计
STM32F2 MCU使用高级90 NM NVM工艺技术，具有自适应实时内存加速器
WR-FFC系列预折叠平面柔性电缆紧凑，薄，光线省略空间
Murata的小型传感器是人，物体和手势检测和距离测量的理想选择
TDK-Lambda的I7C DC / DC转换器具有9.6 V至48 V的宽输出调整范围
PLC推进技术耦合继电器可轻松快速地连接，无需专门的工具
