新型UF3C/UF3SC系列碳化硅场效应管，RDS 7/9 mΩ，提高效率，降低损耗
联合碳化硅公司a series of一系列UF3C / SC SiC场效应晶体管通过改进以提供更高的开关速度、更高的效率和更低的损耗低漏源电阻7/9 mΩ。这些新型fet为大多数TO-247-3L IGBT、Si-MOSFET和SiC-MOSFET部件提供了一种插入式替代解决方案。这有助于设计师在不改变现有栅极驱动电路的情况下升级系统以获得更高的性能和效率。在Qrr降低50%的基础上，可降低开机损耗。对于大电流应用，需要一个小的、低成本的RC缓冲器，这也简化了电磁干扰的设计。
UF3C/SC SiC fet的特点
- 650 v和1200 v
- 低RDS(开)从7mohm到150mohm
- 卓越的体二极管性能(Vf < 2V)
- 使用任何硅和/或SiC栅极驱动电压
- 集成ESD和栅极保护
- 全套行业标准封装- TO-220-3L, D2PAK-3L, DFN8X8, TO-247-3L & - 4l(开尔文)
请注意:完整的技术细节可在UF3C065030B3数据表链接在本页底部。
该UF3C/SC碳化硅fet可在公司网站上购买，了解更多信息UF3C / SC SiC场效应晶体管请访问联合SiC官方网站。
