STGAPSiCS：用于安全控制SiC MOSFET的带双输入引脚的电流隔离栅极驱动器

意法半导体公司推出了STGAPSiCS，4A电隔离栅极驱动器用于安全控制碳化硅（SiC）MOSFET，并从高达1200V的高压轨. STGAP2SiCS能够生产栅极驱动电压高达26V并且可以有一个欠电压锁定（UVLO）阈值为15.5V满足SiC-mosfet的导通要求。该驱动器具有双输入引脚，可让设计者确定栅极驱动信号极性。

STGAP2SiCS提供6kV电流隔离在输入部分和栅极驱动输出之间。这确保了消费者和工业应用的安全性。其4A输出接收器/源功能适用于高端家用电器、工业驱动器、风扇、感应加热器、焊工和UPS等设备中的中高功率转换器、电源和逆变器。

输入电路与其他电路兼容低至3.3V的CMOS/TTL逻辑，可轻松与多种控制IC接口。这个总延迟小于75ns，允许高达高开关频率的精确脉宽调制（PWM）控制。低压段和高压段之间的匹配传播延迟可防止循环失真并将能量损失降至最低。STGAP2SiCS的售价为2.00美元，数量为1000台，采用宽体SO-8W封装，可确保在紧凑的占地面积内实现8mm爬电。

STGAP2SiCS的特点

• 高达1200 V的高压轨
• 驱动器电流能力：25°C时4 A接收器/电源
• 全温度范围内的dV/dt瞬态抗扰度±100 V/ns
• 总输入输出传播延迟：75纳秒
• 独立的接收器和电源选项，便于门驱动配置
• 4米勒夹具专用销选件
• UVLO函数
• 栅极驱动电压高达26 V
• 带滞后的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
• 温度关断保护
• 备用功能
• 6kV电流隔离
• 宽体SO-8W封装

注:有关更多技术信息，请参见STGAP2SiCS数据表链接在此页面底部和的产品页面上STGAPSiCS电隔离门驱动器。