SST38LF6401RT-64Mbit，耐辐射超级闪存设备，用于在空间应用中可靠而稳健地运行

微芯片已经推出一种耐辐射的64MB并行接口超高速存储器这提供了最大的可靠性和鲁棒性。SST38LF6401RT的总电离剂量（TID）耐受性使其成为恶劣辐射环境（如空间任务）的最佳选择。

SST38LF6401RT可以很容易地与Microchip的空间就绪微控制器（MCU）、微处理器（MPU）和现场可编程门阵列（FPGA）一起使用188金宝搏官方网站，它们为这种可扩展的开发模型提供了构建块。新的商用现货（COTS）该设备的开发是为了减少开发符合太空飞行要求的系统的时间、成本和风险。

抗辐射能力高达至每日三次每次50千拉德（克拉），SuperFlash设备允许系统在广泛的空间应用中运行，以避免代码执行丢失，从而导致严重缺陷和系统丢失。

这个SST38LF6401RT是基于Arm Cortex-M7的抗辐射SoC处理器和支持机载系统重新配置的RTpolarFire FPGA的理想伴侣。SST38LF6401RT可购买陶瓷版本，并由评估板和演示软件支持。

SST38LF6401RT的特点

• 卓越的可靠性：耐久性：至少10000次循环/超过100年的数据保留
• 低功耗（5 MHz时的典型值）：有功电流：4 mA（典型）/备用电流：3µA（典型）/自动低功耗模式：3µA（典型）
• 快速读取和页面读取访问时间：90 ns读取访问时间/25 ns页面读取访问时间/4字页面读取缓冲区
• 快速擦除时间：扇区擦除时间：18毫秒（典型）/块擦除时间：18毫秒（典型）/芯片擦除时间：40毫秒（典型）
• 快速字和写缓冲区编程时间：字编程时间：7µs（典型）/写缓冲区编程时间：1.75µs字（典型）/16字写缓冲区

注:有关更多技术信息，请参见SST38LF6401RT数据表链接在此页面底部和SST38LF6401RT产品页面。