RGWxx65C混合式IGBT系列，内置SiC二极管，用于汽车充电器和UPS

ROHM Semiconductor宣布推出RGWxx65C系列(RGW60TS65CHR,RGW80TS65CHR和RGW00TS65CHR)集成650V SiC肖特基势垒二极管的混合IGBT的设计。这些设备符合AEC-Q101汽车可靠性标准，非常适合处理高功率的汽车和工业应用，如光伏功率调节器、车载充电器以及电动和电气化车辆（XEV）中使用的DC/DC转换器。RGWxx65C系列在IGBT的反馈块中使用ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管作为一个自由旋转二极管，几乎没有恢复能量，因此二极管开关损耗最小。

此外，由于恢复电流不必由IGBT在导通模式下处理，IGBT导通损耗显著降低。当用于车辆充电器时，与传统IGBT相比，这两种效应共同导致高达67%的损耗降低，与超级结MOSFET（SJ MOSFET）相比，损耗降低24%。这种效应在降低汽车和工业应用中的功耗的同时，提供了良好的性价比。

特征

• 耐压VCES（V）：650

• 集电极电流IC@100摄氏度（A）：30

• 传导损耗VCE（sat）典型值（V）：1.5

• 续流二极管：SiC SBD

• AEC-Q101合格：是

• 包装：TO-247N

应用

• 汽车充电器（车载充电器）

• 车载DC/DC变换器

• 太阳能逆变器（功率调节器）

• 不间断电源（UPS）

可利用性

RGWxx65C IGBT样品现已上市，该产品将于12月21日批量生产。