新型TPHR7404PU功率MOSFET具有低尖波能力，可降低开关电源应用中的电磁干扰

东芝推出了一款40V n沟道MOSFET。TPHR7404PU“具有低尖峰能力和最新一代U-MOSIX-H工艺。该MOSFET在10V的VGS下保持0.74mΩ (max)的低导通电阻，由于其对减少EMI的贡献，是开关电源应用中的二次同步整流的理想选择。它的低尖峰能力减少了开关应用中的超调，有利于高效率DC-DC变换器、电机驱动器和开关电压调节器的应用。

TPHR7404PU MOSFET的栅极阈值电压为2V到3V (Id =1mA)，这将有助于避免意外开启。它有一个新的细胞结构，采用寄生缓冲器，以减少噪音和切换期间的铃声。此外，这种紧凑尺寸的MOSFET可在5 × 6mm SOP先进封装，其低0.71°C/W通道到外壳的热电阻，使其适合效率集中，紧凑的电源解决方案。

特性

• 高速开关

• 小门电荷:QSW = 34nC(典型值)

• 输出电荷小:Qoss = 90nC(典型值)

• 低漏源极导通电阻:RDS(ON) = 0.51 mΩ(典型值)(VGS = 10V)

• 低漏电流:IDSS = 10µA (max) (VDS = 40 V)

• 增强模式:Vth = 2.0至3.0V (VDS = 10V, ID = 1.0mA)

应用程序

• 高效直流-直流转换器

• 开关稳压器

• 电机驱动程序