新的无效包装的碳化硅MOSFET，其输出电容低，PCB区域节省30％

Onsemi宣布了新的无效（TOLL）包装的硅碳化物（SIC）MOSFET，该MOSFET满足了适用于高性能开关设备的快速增长的需求，该设备适用于具有高度功率密度的设计。Toll软件包的占地面积仅为9.90毫米x 11.68毫米，可在PCB区域节省30％，并且剖面仅为2.30毫米，比D2PAK软件包的体积少60％。收费包中的第一个SIC MOSFET是NTBL045N065SC1旨在用于要求的应用程序，包括开关模式电源（SMP），服务器和电信电源，太阳逆变器，不间断的电源（UPS）和储能。

与D2PAK 7-LEAD相比，收费包提供更好的热性能和更低的包装电感（2 nh）。它的开尔文源配置可确保较低的门噪声和降低开关损失，包括转弯损失（EON）减少60％，可确保在具有挑战性的功率设计以及改进的EMI以及更轻松的PCB设计方面的效率和功率密度的显着提高。

NTBL045N065SC1的VDSS额定值为650 V，典型的RD（ON）仅为33MΩ，最大排水电流（ID）为73 A. A.基于宽带（WBG）SIC技术，该设备的最大工作温度为最大工作温度。175°C和超低门电荷（QG（TOT）= 105 nc），可显着减少开关损耗。

特征

• 高连接温度（TJ = 175°C）

• 无铅薄SMD包装

• 超低门电荷（QG（TOT）= 105 NC）

• 低有效输出电容（COSS = 162 pf）

• 身体二极管的零反向恢复电流

• 典型。RDS（ON）=33MΩ @ VGS：18V

• 650V额定值

• 100％雪崩测试

申请

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