新的MMIC和离散晶体管可提供5G，卫星通信和防御应用所需的性能水平
Microchip Technology Inc.宣布扩大其氮化镓（GaN）射频（RF）电源设备产品组合凭借新的MMIC和离散晶体管，将高功率（PAE）和高线性度结合在一起，从5G到电子战，卫星通信，商业和防御雷达系统和测试设备的应用中提供新的性能。此外，这些装置是使用GaN的碳化硅技术制造的，该技术提供了高功率密度和产量的最佳组合，以及在255˚C结温下超过100万小时的高压操作和寿命。
这些器件包括覆盖2到18GHz的GaN MMIC，3DB压缩点（P3DB）RF输出功率高达20W，效率高达25％，以及用于S-和X波段的裸管和封装的GaN MMIC放大器具有高达60％的PAE和离散的高电子迁移晶体管（HEMT）器件，覆盖DC至14 GHz，P3DB RF输出功率高达100W，最大效率为70％。
今天宣布的电源设备包括ICP0349PP7-1-300I和ICP1543-1-110I，以及其他Microchip RF产品，可在批量生产中提供。
