新型高性能FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70 EasyDUAL MOSFET模块，增加功率密度和紧凑设计

升级EasyDUAL CoolSiC MOSFET模块，英飞凌科技发布两种新型氮化铝(AIN)陶瓷这使得增加功率密度和更紧凑的设计成为可能。高性能EasyDUAL模块，FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70来在半桥结构中具有通态电阻(R_DS(上))11 mΩ在一个EasyDUAL 1B包装和6 mΩ在一个EasyDUAL 2 b包中。1200v设备适用于高功率密度的应用，包括太阳能系统、不间断电源、辅助逆变器、储能系统和电动汽车充电器。

这些陶瓷模块配备了最新的CoolSiC MOSFET具有卓越的栅氧化可靠性的技术。DCB材料的热导率提高了，使热电阻散热器(右_thJH)将下调40%。新型AIN陶瓷与CoolSiC简易模块相结合有助于提高输出功率或降低结温，从而确保提高系统的寿命。

的特性半桥1200v CoolSiC MOSFET模块

• 高性能氮化铝陶瓷
• 1200v CoolSiC沟槽MOSFET技术
• 一流的Easy模块包
• 网格状的配置
• 压入技术
• DCB材料导热性能更好- R_thJH可能改进40%
• 功率密度和紧凑设计
• CoolSiC MOSFET优越的栅氧化可靠性
• 最小化模块和散热器之间的空腔
• 高自由度的逆变器设计
• 使用寿命长，冷却效果好

EasyDUAL 2B 1200v, 6 mΩ半桥模块与CoolSiC MOSFET

• 高性能氮化铝陶瓷
• 1200v CoolSiC沟槽MOSFET技术
• 一流的Easy模块包
• 网格状的配置
• 压入技术

注意:更多的技术信息可在FF11MR12W1M1_B70 MOSFET模块数据表链接在本页的底部和EasyDUAL模块FF11MR12W1M1_B70和EasyDUAL模块FF6MR12W2M1_B70产品页面。