新的4代SiC fet提供了电路的稳健性，并使设计的灵活性达到了新的水平
UnitedSiC公司近日发布了一款新型6mohm、750V的第四代SiC fet器件，该器件可提供强大的短路功能，其RDS(on)值低于最近的SiC MOSFET竞争对手的一半。该公司扩大了750V SiC FET系列，增加了9个新的器件/封装选项，额定为6、9、11、23、33和44mohms。所有设备都有TO-247-4L封装，而18、23、33、44和60mohm设备也有TO-247-3L封装。这些SiC fet是具有挑战性的新兴应用的理想选择，包括电动汽车中的牵引驱动器和板内和板外充电器，以及可再生能源逆变器中的单向和双向功率转换、功率因数校正、电信转换器和AC/DC或DC/DC功率转换的所有阶段。188金宝搏下载
第4代SiC fet是SiC JFET和共同封装的硅MOSFET的“级联码”，共同提供了宽带隙技术的全部优势——高速、低损耗、高温操作，同时保持简单、稳定和强大的栅极驱动器，并具有整体ESD保护。这些设备通过先进的晶片细化技术和银烧结模连接，降低了从模到外壳的热电阻，在苛刻的应用中实现了最大的功率输出，以满足低模具温升的要求。
该系列为设计人员提供了更多的器件选择，实现了更大的设计灵活性，实现了最佳的成本/效率平衡，同时保持了较大的设计空间和电路稳健性。此外，新的750V Gen 4 SiC fet的价格范围从4.15美元(UJ4C075044K3S)到23.46美元(UJ4SC075006K4S)，所有设备都可从授权经销商处购买。
