新的80V/100V MOSFET，采用最新的电源，电信和工业设计的硅技术
Nexperia宣布了新的QRR功绩80 V / 100 V MOSFET借助最新的Next Power Silicon技术，将扩大立即供应的能力。新的PSMN3R9-100YSF（100 V）和PSMN3R5-80YSF（80 V）设备非常适合电源，电信和工业设计，尤其是适合使用USB-PD Type-C Chargers和Adapters和48 V DC DC-DC适配器。这些设备具有低体二极管损耗，QRR降低至50 nc-导致较低的反向恢复电流（IRR），较低的电压尖峰（VPEAK）和降低的振铃，从而允许进一步优化的死时间。
Next Power 80 V和100 V硅MOSFET显着将RDS（ON）从上一代100 V零件的7MΩ上升到新设备的4.3MΩ，从而提高了效率。Next Power技术还为100 V部分提供了一流的低QRR QRR，可减少尖峰和EMI排放。总体而言，比竞争设备平均100 V部分的QRR值比平均低61％。
Nexperia的产品经理迈克·贝克尔（Mike Becker）表示，“由于全球半导体短缺，Nexperia为增加其全球制造地点的容量（包括曼彻斯特和菲律宾生产的菲律宾）的投资将是对买家的欢迎新闻。设计师还将对新MOSFET的性能感到兴奋。它们非常适合许多切换应用程序，并且是其他供应商产品的真正第二来源。”
MOSFET的功能和好处
- Next Power 100 V使用深度沟通和电荷平衡结构（Resurf）
- 在切换应用中，高效率和低峰值
- 资格达到175°C
- LFPAK56低应力铅框架和波形兼容器
- 低RD（开）
- 改进的QG（TOT）合格图（FOM）
- 一流的低QRR可在切换应用方面具有很高的效率
- 雪崩等级，100％雪崩测试
- 针对切换，低峰值和高效率进行了优化
PSMN3R9-100YSF（100 V）和PSMN3R5-80YSF（80 V）设备的应用
- 在反式和共振拓扑的同步整流器
- AC/DC和DC/DC转换器
- LED照明
- 全桥和半桥拓扑
- 电机控制
- UPS和太阳逆变器
可用性
新的80 V和100 V MOSFET可在Nexperia的热和高性能LFPAK56E铜夹技术软件包中获得。
组件数据表
