新型700V和1200V SiC肖特基势垒二极管(SBD),用于可靠和坚固的汽车应用
微芯片技术引入了700V和1200V SiC肖特基势垒二极管(SBD)供电器件帮助设计师实现汽车质量标准广泛的电压、电流和封装选项。AEC-Q101-合格设备允许设计者增加电动汽车系统的效率和保持高质量. 它还最大化了系统可靠性和坚固性用于提供稳定持久的应用寿命。
SiC提供卓越的雪崩性能使设计者能够减少对外部保护电路的需求,从而最终降低系统成本和复杂性。与其他可用的SIC不同,新设备显示性能没有下降在极端条件下,延长使用寿命。
新型碳化硅高出20%的能量承受能力在无箝位感应开关(UIS)和最低泄漏电流在高温下。Microchip的SiC汽车电源设备补充了其广泛的控制器、模拟和连接解决方案组合,为设计师提供了电动汽车和充电站的整体系统解决方案。188金宝搏下载
Microchip的AEC-Q101合格700V和1200V SiC SBD设备(也可作为电源模块的模具)可用于批量生产订单。
700和1200V SiC肖特基势垒二极管(SBD)的特性
- 提高系统效率,降低开关损耗
- 类似电源拓扑的更高功率密度
- 较高的工作温度
- 减少冷却需求、更小的过滤器和无源器件宝金博188
- 更高的开关频率
- 在额定电压下,中子敏感性的时间失效率(FIT)比可比绝缘栅双极晶体管(IGBT)低十倍
- 极低的寄生(杂散)电感SiC模块中<2.9 nH
注:更多技术信息和数据表可在700V SiC肖特基势垒二极管和1200V SiC肖特基势垒二极管产品页面。