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N沟道增强型高转换效率TOLL MOSFET设计用于电动汽车应用和电源管理

N沟道增强型TOLL-MOSFET
N沟道增强型TOLL-MOSFET

二极管公司推出了一系列汽车MOSFET,包括100V额定电压DMTH10H1M7STLWQDMTH10H2M5STLWQ,额定电压为80VDMTH8001STLWQMOSFET的PCB面积减少20%,板外轮廓为2.4mm。这些新型MOSFET采用热效率高的TOLL封装,非常适合用于高可靠性电源应用,如能量回收、集成启动交流发电机和配备电池的车辆中的DC-DC转换器。TOLL封装使用夹子键合实现低封装电阻和降低寄生封装电感,使这些设备能够实现1.3m的典型导通电阻Ω, 140万Ω, 和1.68米Ω, 分别在10V的栅极驱动下。

这些MOSFET符合AEC-Q101,具备PPAP能力,并在IATF 16949认证设施中制造。由于焊料接触面积比TO263大50%,TOLL封装可实现0.65°C/W的结壳热阻抗,允许这些MOSFET处理高达270A的电流。此外,他们的镀锡梯形槽导线有助于促进自动光学检查(AOI)程序。

特征

  • 额定温度为+175°C–适用于高环境温度环境
  • 生产中的100%无夹感应开关(UIS)测试–确保更可靠、更稳健的终端应用
  • 高转换效率
  • 低RDS(开启)-最小化开启状态损失
  • 可湿侧面,用于改进光学检测

应用

  • 电机控制
  • DC-DC转换器
  • 电源管理

可用性和定价

这些设备现在可用,对于10000件数量,DMTH8001STLWQ单位成本为2.36美元;DMTH10H1M7STLWQ的单位成本为2.36美元;DMTH10H2M5STLWQ的单位成本为2.00美元。

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