Mastergan4电源封装，具有两个对称的650V GaN电源晶体管，用于高效电源转换应用，高达200W

STMicroelectronics推出了Mastergan4电源包两个对称的650V氮化镓（GaN）功率晶体管，具有225mΩ的RDS（ON）。通过使用宽带隙GaN功率半导体以及优化的栅极驱​​动器和电路保护，新设备简化了高效率的设计电源转换应用高达200W。

和输入电压从3.3V到15V的输入，可以通过将封装直接连接到霍尔效应传感器或CMOS装置，例如微控制器，DSP或FPGA来控制Mastergan4。特点如更高的工作频率，提高效率降低了热耗散，使设计人员能够选择小型磁性部件和散热器，以构建更紧凑，轻便的电源，充电器和适配器。

与A.宽电源电压范围为4.75V至9.5V，Mastergan非常适合在对称的半桥拓扑以及软切换拓扑等中使用，例如Active Clamp反激和主动夹具前进。新设备包括各种保护功能，如栅极驱动器互锁，低侧和高侧锁定（UVLO），过温保护和专用关断销。

除了MasterGan4电源包之外，ST还推出了专用的原型板（EVALMastergan4），提供了一套完整的功能，可以使用单个或互补的驱动信号驱动MasterGan4。用9mm x 9mm x 1mm gqfn封装包装，Mastegan4可为1000美元的价格为1000美元。

Mastergan4电源包的功能

• 600 V系统封装整合半桥栅极驱动器和高压GaN电源晶体管
• 反向电流能力
• 零反向恢复损失
• 低端和高端的UVLO保护
• 内部引导二极管
• 联锁功能
• 用于关闭功能的专用pin
• 准确的内部时间匹配
• 3.3 V至15 V兼容输入，磁滞和下拉
• 过温保护
• 物质清单减少
• 非常紧凑和简化的布局
• 灵活，轻松，快速设计

笔记：有关更多技术信息，请参见Mastergan4数据表链接在本页底部以及产品页面Mastergan4 Power软件包。