液冷式3相SiC MOSFET智能功率模块（IPM），在电子移动性和航空航天应用中实现高效率和高功率密度

CISSOID在其不断增长的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）产品平台上增加了新的液冷模块，用于E-mobility专为低成本客户量身定制开关损耗或更高的功率。该公司还推出了一个基于轻质铝硅平板基板满足航空航天和专用工业应用中自然对流或强制冷却的需求。

这些新的基于针翅基板的液冷功率模块可以提供340A至550A最大连续电流的1200V闭锁电压. 带着通电电阻范围为2.53m欧姆至4.19m欧姆根据电流额定值，这些器件在600V/300A下的总开关能量低至7.48mJ（Eon）和7.39mJ（Eoff）。反向偏置安全操作Aera（RBSOA）允许峰值电流高达600A，直流母线电压高达880V。这使得这些电源模块对于800V电池应用非常安全。

新的风冷模块的额定功率为阻断电压1200V和最大持续电流为340A。具有3.25mOhms的导通电阻在600V和300A下，风冷模块的开启和关闭开关能量分别为8.42mJ和7.05mJ。AlSiC平基板冷却电源模块热稳定性好，额定连接温度为175°C，环境温度为125°C。

新发布产品的零件号为CXT-PLA3SA12340AA（1200V/340A/针翅基板）、CXT-PLA3SA12550AA（1200V/550A/针翅基板）和CMT-PLA3SB12340AA（1200V/340A/平基板）。

三相SiC MOSFET智能功率模块（IPM）的特点

• 电源设备结温：-40°C至+175°C
• 闸门驱动器环境温度：-40°C至125°C
• 漏源击穿电压：1200V
• 低导通电阻：典型值为2.53mOhms至4.19mOhms。
• 最大持续电流：Tf=25°C时为340A至550A
• 热阻：0.15°C/W典型值。
• 600V/300A时的开关能量：Eon=7.5mJ至9mJ/Eoff=7mJ至7.4mJ
• 开关频率：最大25KHz
• 隔离（基板-电源插脚）：3600VAC@50Hz（1min）
• 共模瞬态抗扰度：>50kV/μs
• 低寄生电容（初级-次级）：每相典型11pF
• 栅极驱动器保护：欠电压锁定（UVLO）、去饱和保护、软关机关闭（SSD）、负栅极驱动器（-3V）、有源米勒箝位（AMC）、栅极源短路保护

注:有关更多技术信息，请参阅CXT-PLA3SA12340A数据表链接在此页面底部和的产品页面上三相SiC MOSFET智能功率模块（IPM）.