HPDC系列：高功率密度芯片电阻，用于高连续和瞬时载荷应用
TT Electronics宣布了其新的HPDC系列高功率芯片电阻的首次亮相，该电阻使用了使用氮化铝（ALN）陶瓷底物，并具有大面积终端，以改善与PCB的热接触。这一新的电阻器针对电源管理，执行器驱动器和加热应用，这些电阻从元素到端子的增强传输中受益。此外，这种高功率密度组件的使用可通过限制组件热点的温度升高来节省PCB区域并提高可靠性。
新的HPDC电阻提供了一个高功率密度溶液，在1206中的额定值为2.4W，在2512足迹中为3.5W，短期过载的性能在1206年为4.7W，在2512秒为4.7W，持续五秒钟，使HPDC Ideass成为理想的HPDC理想在主动电容器出血电路中。
另外，这些电阻可用于温度控制的加热应用中，其中施加的功率仅受155°C的最高元素温度和110°C的最高终止温度的限制。
