高效和稳健的第三代SiC mosfet在工业和汽车应用中的高性能和可靠性

GeneSiC半导体公司推出了业界领先的产品1200 v3.^{理查德·道金斯}第一代G3R SiC mosfet在优化的低电感离散封装(SMD和通孔)。新的mosfet交付行业-主要性能、鲁棒性在汽车和工业应用中提高效率和系统可靠性。

针对电力系统设计需要更高的效率水平和超快的开关速度进行了优化，新设备实现了行业标准最低开态电阻栅极电荷较低。这种新型mosfet具有最软的开态电阻温度依赖性，可以提供非常低传导损失在所有的温度。GeneSiC的1200V SiC MOSFET离散100%雪崩(UIL)在生产过程中进行测试。

GeneSiC的mosfet在所有温度下都具有基准的低反向回收电荷(QRR);比任何类似评级的竞争对手设备好30%。G3R SiC mosfet被设计为在+15V/-5V栅驱动;他们可以更快和更有效地驱动与他们的低器件电容。新型SiC mosfet适用于各种应用，如电动汽车动力系统和充电、太阳能逆变器和储能、工业电机驱动、不间断电源(UPS)、开关模式电源(SMPS)、双向DC-DC变换器、智能电网和高压直流、感应加热和焊接、脉冲电源的应用程序。

G3R SiC mosfet的特点

• 优越的QG x RDS(ON)价值数字
• 在所有温度下均具有低的传导损耗
• 100%雪崩测试
• 低栅极电荷和低内部栅极电阻
• 在175°C下正常关闭稳定运行
• 低设备的参数
• 快速和可靠的体二极管与低本征电荷
• 易于使用的

请注意:更多技术资料可参阅G3R20MT12K数据表链接在本页的底部和G3R SiC场效电晶体产品页面。