用于工业设备中高速运行和低导通电阻的高功率PhotoMOS光伏MOSFET驱动器
松下推出了新的光伏MOSFET高功率型PhotoMOS继电器生产线在小包装尺寸(SSOP)较高的短路电流和降电压MOSFET的栅极。的能力驱动高Vgs MOSFET如SiC mosfet，该驱动器能够在高开关速度下实现高开关容量。
新的PhotoMOS继电器可以用于传统的机电继电器已经在使用的应用。这种替换可以提供额外的好处，比如使用寿命长，抗冲击和振动性能好，通电电阻低以及理论上无限的生命周期。PhotoMOS继电器可用于测量市场、安全设备、防火系统和工业机械;它们也适用于电池监测系统，测试和测量和电力。
PhotoMOS中继的特点
- 微型SSOP包
- 高速MOSFET工作(高输出电流:APV1111GVY)
- MOSFET低导通电阻(高输出电压:APV3111GVY)
- 典型跌落电压:8.5V(APV1111GVY);18 v (APV3111GVY)
- 典型短路电流:45µA (APV1111GVY);12µ(APV3111GVY)
注意:更多的技术信息可在PhotoMOS继电器数据表链接在本页的底部和产品页光伏MOSFET驱动大功率型。
部分数据表
