GS-065-00-5-B-A:紧凑型汽车级650V GaN e型晶体管，用于高功率应用
GaN系统已经扩展了它的家族生产650 v晶体管GS-065-00-5-B-A, a底部60A冷却晶体管．这种新型晶体管将氮化镓的高频特性与氮化镓系统专有的孤岛技术布局和氮化镓PX封装相结合高功率，低损耗性能在今天的电力电子学中。
GS-065-00-5-B-A是专为高要求而开发的大功率电动汽车应用程序例如车载充电器、牵引逆变器和DC-DC转换器。底部冷却晶体管可以提供非常低的结-壳热电阻要求高功率应用。通过利用氮化镓功率晶体管，功率工程师可以使他们的产品更小、更轻，降低系统成本。
GS-065-00-5-B-A晶体管的特点
- 650 V增强模式功率晶体管
- 底部冷却，低电感GaNPX封装
- RDS(on) = 25 mΩ
- IDS(max) = 60a
- 超低流分布
- 简单栅极驱动要求(0 V到6 V)
- 瞬态容许栅驱动(-20 / +10 V)
- 非常高的开关频率(> 10 MHz)小11 × 9毫米2PCB足迹
注意:更多的技术信息可在gs - 065 - 00 - 5 b -一个数据表链接在本页的底部和产品页gs -065-00- 5b - a e型氮化镓晶体管．
