基于GaN半导体技术的鲁棒输入电源保护低噪声放大器
Fairview Microwave推出了基于氮化镓(GaN)半导体技术的输入保护低噪声放大器(LNAs)健壮的输入保护．新覆盖了理想的微波和毫米波频段，因此它们适用于电子战、雷达、空间系统、研发、概念原型/验证、电子对抗、微波无线电、甚小孔径终端、卫星通信和测试和测量应用。
lna的高击穿电压较高的射频输入功率信号容忍度电平同时保持优良的低噪声数字性能。恢复功能典型增益可达46db，高射频输入功率处理高达10瓦CW，宽带频率范围从1至23 GHz，和低噪音数字低至1.5分贝典型。在LNAs中使用的氮化镓技术确保了最先进的性能，具有出色的功率体积比，是宽带高功率应用的理想选择。
输入保护LNAs的特性
- 氮化镓半导体技术
- 宽带频率范围从1 - 23 GHz
- 高射频输入功率处理高达10瓦CW
- 高增益可达44db典型值
- 低噪音系数低至1.5 dB典型值
- 坚固的军用级SMA连接封装
注意:更多的技术信息可在FMAM1075数据表链接在本页的底部和GaN输入保护低噪声放大器产品页面。
部分数据表
