G3VM T模块：新型高压和高电流T配置MOSFET中继模块，具有极低漏电流
欧姆龙电子元件已释放其创新的T-Configuration MOSFET继电器模块的新型高压和高电流版本。新的欧姆龙G3VM T模块提供固态继电器的特殊可靠性和耐久性，结合仅具有1Pa或更小的极低漏电流。这些Omron T模块有效地结合了机械和MOSFET继电器的优点，以提供精确，紧凑，持久的切换溶液，没有机械触点。此外，这些器件在SPST中安装并提供了无需配置。
新的欧姆龙G3VM-61MT和G3VM-101MT加入高隔离G3VM-21MT，分别具有800mA和550mA的负载电流。这些新设备的电负载特性为G3VM-61MT和100V的G3VM-101MT为60V。G3VM-21MT在1GHz时具有卓越的隔离性能小于-30dB，并在200mA，20V时额定值。这些器件的低漏电流具有独特的T型电路结构，可将大部分漏电流发送到地面。
通过将T电路融入模块中，这些器件的紧凑型尺寸为5mm×3.75mm x 2.7mm，并在所有类型的测试设备中支持精确的测量，其中由于它们的低漏电流，机械继电器先前优选。
