用于超高功率密度设计的英飞凌CoolMOS 600V高压MOSFET
英飞凌科技通过以下方式扩大了其CoolMOS产品组合：PFD7 MOSFET系列，提供一流的性能和易用性。这些器件适用于超高功率密度设计，例如充电器和适配器也适用于低功耗驱动器和特定照明应用。新器件具有高鲁棒性、提高效率、最小化开关损耗和改善热性能，这使得它们成为当代工程设计的最终选择。
PFD7系列的特点
- 极低的损耗和高功率密度
- 集成健壮快体二极管
- 高达2kV ESD保护
- 广泛的RDS（on）值范围从125 mΩ 至2000米Ω.
- 优良的换向强度
- 低电磁干扰
- 广泛的一揽子投资组合
笔记：有关产品系列的更多功能，请参见下面的链接。您也可以参考本页底部链接的IPD60R210PFD7S数据表。
CoolMoS PFD7系列支持小型和轻型的主要趋势移动产品与节能在主要家用电器中，价格适中的超高功率密度正处于极限。这些设备在轻载条件下提供高效率，同时能够满足EMI要求。广泛的产品组合使您可以根据客户的设计轻松选择正确的零件。有关PFD7产品系列，请访问英飞凌科技的官方网站
