AOM033V120X2Q:汽车级1200V/33mΩ αSiC mosfet，用于电动汽车的卓越性能和效率188金宝搏下载

阿尔法与欧米茄半导体有限公司合作推出AOM033V120X2Q,AEC-Q101合格1200 v / 33米Ω碳化硅(SiC) αSiC mosfet在一个优化的TO-247-4L封装。这款新设备专为苛刻的汽车应用而设计，采用了800V的电气系统，减少了系统的尺寸和重量，同时增加了续航里程，并显著加快了充电速度。

新的汽车级αSiC mosfet提供卓越的开关性能、可靠性和效率在电动汽车(EV)车载充电器、电机驱动逆变器和车外充电站中，这些1200V SiC mosfet提供了行业领先的最低导通电阻，可用于符合汽车标准的TO-247-4L标准栅极驱动15V．

新型αSiC mosfet的附加传感引线减小了电感效应，使器件工作在a更高的开关频率与标准封装相比，开关损耗降低高达75%。15V门驱动电压允许门驱动最狂野的兼容性，以便在各种系统设计中采用。αSiC mosfet的导通电阻增加非常低，直到额定175°C，以减少功率损耗，并进一步提高效率。

AOM033V120X2Q的特点

• 专有的αSiC MOSFET技术
• 低损耗，低RDS, ON
• 快速开关，低RG和低电容
• 优化栅极驱动电压(VGS =15V)
• 低反向恢复二极管(Qrr)
• 最大工作结温度为175°C
• AEC-Q101汽车合格

注意:更多的技术信息可在AOM033V120X2Q数据表链接在本页的底部和产品页AOM033V120X2QαSiC场效电晶体．