650V TRENCHSTOP IGBT7 in TO-247 Housing具有优良的EMI性能，适用于高湿度工业应用
英飞凌科技发布了TRENCHSTOP IGBT7技术离散的住房用于工业电机驱动，功率因数校正，光伏和不间断电源。新的TRENCHSTOP家族投资组合包括额定电流为20 A、30 A、40 A、50 A和75 A．它可以很容易地用于取代以前的技术和并行。
TRENCHSTOP IGBT7芯片是在一个TO-247, 650 V击穿电压．它采用了新的微图形沟槽技术，具有更低的静态损耗。此外，它提供了更低的静态损耗和减少10%的通态电压相同的电流级别。
IGBT T7技术具有非常低的饱和电压(VCE(坐)）和一个发射器控制7th代(EC7)二极管，它提供了a150 mV低正向电压(VF)下降改善了反向复苏的软性。这个版本的IGBT7提供短路稳健性，具有优越的可控性和优异的电磁干扰性能，并可以轻松调整，以提供特定的应用程序dv/dt与开关损耗的最佳比率．设备已成功通过基于电平HV-H3TRB(高压、高湿、高温反向偏置)测试，从而证明在高湿工业应用中的坚固性。分离式650v TRENCHSTOP IGBT7可在公司页面获得。
关键特性的TRENCHSTOP IGBT7
- TO-247, 650 V击穿电压
- 极低的饱和电压(VCE(坐)）
- 包括发射极受控7th代(EC7)二极管
- 额定电流为20 A、30 A、40 A、50 A和75 A
- 提供150mv低正向电压(VF)下降，改善了逆恢复软性
- 优异的可控性和优异的电磁干扰性能
- 提供了dv/dt与开关损耗的最佳比率
请注意:更多技术资料请参阅FP50R12W2T7数据表链接在本页的底部和TRENCHSTOP IGBT7产品页面。
部分数据表
