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650V凉爽的MOSFET,具有增加的雪崩能力目标高功率应用,并提供改进的开关行为

650V凉爽的MOSFET
650V凉爽的MOSFET

Infineon Technologies AG引入了一个新家庭冷却650 V硅碳化物(SIC)MOSFET这是基于Infineon最先进的SIC沟渠技术和针对高功率应用,包括服务器,电信,工业SMP,快速电动汽车充电,电动机驱动器,太阳能系统,储能和电池的形成。这些设备采用带有.xt互连技术的紧凑型D 2PAK SMD 7针包装,并在更高的电流下提供改进的开关行为。

从门到源的宽电压(V GS)范围从-5 V到23 V,支撑0 V v GS和Gate-source阈值电压(V GS(Th))大于4 V,此新家庭还与标准MOSFET GATE驱动程序ICS合作。这些设备的反向回收充电(Q RR)低80%,而排水源充电(Q OSS)比最佳硅参考。此外,减少的开关损耗允许以较小的系统尺寸的高频操作,从而提高效率和功率密度。

特征

  • 优化在较高电流处的切换行为

  • 固定的快速身体二极管与低QF

  • 上门氧化物的可靠性

  • TJ,最大= 175°C和出色的热行为

  • 较低的RD(ON)和脉冲电流依赖温度

  • 提高雪崩能力

  • 与标准驱动器兼容(推荐驱动电压:0V-18V)

  • 开尔文资源可提供最多4倍的切换损失

应用

  • 电信和服务器SMP

  • UPS(不间断的电源)

  • 太阳能光伏逆变器

  • EV充电基础架构

  • 储能和电池形成

  • D类放大器

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