650V凉爽的MOSFET,具有增加的雪崩能力目标高功率应用,并提供改进的开关行为
Infineon Technologies AG引入了一个新家庭冷却650 V硅碳化物(SIC)MOSFET这是基于Infineon最先进的SIC沟渠技术和针对高功率应用,包括服务器,电信,工业SMP,快速电动汽车充电,电动机驱动器,太阳能系统,储能和电池的形成。这些设备采用带有.xt互连技术的紧凑型D 2PAK SMD 7针包装,并在更高的电流下提供改进的开关行为。
从门到源的宽电压(V GS)范围从-5 V到23 V,支撑0 V v GS和Gate-source阈值电压(V GS(Th))大于4 V,此新家庭还与标准MOSFET GATE驱动程序ICS合作。这些设备的反向回收充电(Q RR)低80%,而排水源充电(Q OSS)比最佳硅参考。此外,减少的开关损耗允许以较小的系统尺寸的高频操作,从而提高效率和功率密度。
特征
优化在较高电流处的切换行为
固定的快速身体二极管与低QF
上门氧化物的可靠性
TJ,最大= 175°C和出色的热行为
较低的RD(ON)和脉冲电流依赖温度
提高雪崩能力
与标准驱动器兼容(推荐驱动电压:0V-18V)
开尔文资源可提供最多4倍的切换损失
应用
电信和服务器SMP
UPS(不间断的电源)
太阳能光伏逆变器
EV充电基础架构
储能和电池形成
D类放大器