650V和600V氮化镓（GaN）FET在汽车和工业应用中提供高功率密度和高效率
新汽车氮化镓场效应晶体管从…起德州仪器是用于汽车和工业应用的650-V和600-V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）.通过快速切换，2.2MHz集成门驱动器，GaN场效应晶体管的新家族，即LMG3522R030-Q1和LMG3525R030-Q1承诺帮助工程师提供两倍于现有解决方案的功率密度，实现99%的效率，并将功率磁铁的尺寸减小59%。
发达的使用Ti专有的GaN材料和硅上GaN（Si）衬底上的加工能力，新的FET比碳化硅（SiC）等可比衬底材料具有成本和供应链优势。
这些汽车GaN场效应晶体管减少电动汽车（EV）车载充电器和DC/DC转换器的尺寸与现有的Si或SiC溶液相比，减少了50%。通过这种方式，工程师可以扩大电池范围，提高系统可靠性，降低设计成本。
此外，这些设备在交流/直流电源传输应用（如超规模和企业计算平台以及5G电信整流器）中实现了高效率和高功率密度，在这些应用中，低损耗和减少电路板空间起着至关重要的作用。
这些新的30米Ω GaN场效应晶体管应用于半桥结构时，可支持高达4千瓦的功率转换。此外，它们集成了快速开关、内部保护和温度传感，从而提高了性能，减少了电源管理设计的板空间。这种集成有助于工程师消除离散解决方案所需的10多个组件。
FET的热阻抗比竞争性封装低23%。这使得工程师可以使用小型散热器，同时简化热设计。由于能够选择底部或顶部冷却封装，这些新设备可以提供最大的热设计灵活性。FET的有源功率管理功能使工程师能够在不同负载和工作条件下优化系统热性能。
特点LMG3522R030-Q1和LMG3525R030-Q1氮化镓场效应晶体管
- 650-V和600-V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）
- 快速开关，2.2MHz集成门驱动器
- 2倍的功率密度，达到99%的效率
- 与现有的解决方案相比，功率磁铁的尺寸减少了59%
新的LMG3522R030-Q1和LMG3525R030-Q1 650-V汽车GaN FET和评估模块的预生产版本将于2021年第一季度开始采购从公司网站上。
笔记:更多技术资料请参阅LMG3522R030-Q1和LMG3525R030-Q1氮化镓场效应晶体管数据表链接在此页面底部和LMG3522R030-Q1和LMG3525R030-Q1氮化镓场效应晶体管产品页面。
