650 V凉爽的混合IGBT用于出色的开关频率和DC-DC转换器中的开关损耗降低

Infineon Technologies推出了650 V凉爽混合IGBT用于电池充电基础架构，储能解决方案，光伏逆变器，不间断电源（UPS）以及服务器和电信交换机模式供应（SMP）的离散软件包中的投资组合。结合关键好处650 V TRENCHSTOP 5 IGBT技术以及共包装的单极结构Schottky屏障冷却二极管，新设备可提供卓越的开关频率和减少开关损耗。

凉爽的混合IGBT已设计为与IGBT共同包装的freewheele siC Schottky屏障二极管，凉爽的混合IGBT，因此它们可以在几乎没有变化的DV/DT和DI/DT值下减少开关损耗。与基于标准的硅溶液相比，冷杂交IGBT的EON降低了60％，EOFF降低了30％。

具有将切换频率提高到40％的能力，而新IGBT具有不变的输出功率要求每个10 kHz开关频率的效率提高0.1％。这卓越的开关频率和减少开关损耗使该设备适用于电池充电基础设施，储能解决方案，光伏逆变器，不间断的电源（UPS）以及服务器和电信切换模式功率供应（SMPS（SMPS）（SMPS））。

Schottky屏障二极管的单极性质使它们可以更快地切换，而无需严重的振荡和寄生转弯的风险。650 V Coolsic Hybrid IGBT投资组合可在TO-247-3和TO-247-4 PIN KELVIN EMITTER软件包中购买。

650 V酷混合IGBT的功能

• 由于Trenchstop 5和凉爽二极管技术的组合，超低开关损失
• 州损失非常低
• 硬开关拓扑中的基准切换效率
• 根据JEDEC的目标申请资格
• 无PB铅板；ROHS符合条件
• 根据JEDEC 47/20/22的相关测试资格用于工业应用

注意：更多的技术信息可以在IKW75N65RH5数据表在此页面的底部和凉爽混合离散产品页面。