30 V n沟道SiSS52DN MOSFET，为隔离和非隔离拓扑提供高功率密度和效率

Vishay Intertechnology发布了一款新的30 V n沟道MOSFET, SISS52DN它能够为隔离和非隔离拓扑提供高功率密度和效率。住在3.3 mm × 3.3 mm热增强PowerPAK 1212‑8S封装，该公司的最新设备提供了1.5米的导通电阻Ω在4.5 V。29.8Ω在4.5 V时，nC导通电阻乘以栅极电荷，这是用于开关应用的mosfet的关键价值(FOM)。

该设备适用于同步整流、同步降压变换器、DC/DC变换器、开关槽拓扑、or -环fet和服务器、电信和射频设备电源的负载开关的低侧开关。高性能的MOSFET可以帮助设计人员在隔离和非隔离拓扑中简化零件选择。

该设备100%经过RG和uis测试，符合rohs标准，无卤素。总的来说，SISS52DN MOSFET在功率转换应用中降低了导通和开关损耗，从而节省了能源。SiSS52DN有样品和生产数量，交期为12周。

SISS52DN 30v n沟道MOSFET的特点

• V级功率MOSFET
• 非常低的RDS x Qg值(FOM)
• 通过非常低的RDS(开启)和热增强紧凑封装，实现更高的功率密度
• 100%测试了Rg和UIS
• 1.5米Ω在4.5 V导通电阻
• 3.3 mm × 3.3 mm热增强PowerPAK 1212‑8S封装

注意:更多的技术信息可在SISS52DN数据表链接在本页的底部和30 V n沟道MOSFET产品页面。