STP80NF70 n沟道MOSFET
的STP80NF70是一个n沟道MOSFET功率从圣微电子。它具有68V的漏极至源极电压和98A的连续集电极电流，具有2-4V的低栅极阈值电压。它还具有低内阻和低输入电容，使其适合于高效率的开关应用。
引脚配置
密码 |
销的名字 |
描述 |
1 |
来源 |
电流通过电源流出(最大8A) |
2 |
门 |
控制MOSFET的偏置(阈值电压10V) |
3. |
排水 |
电流通过漏极流入 |
特征
- N沟道功率MOSFET
- 低输入电容和栅极电荷
- 漏极至源极电压VDS:68V@VGS=0
- 连续漏极电流(ID): 98A
- 栅极阈值电压（VGS th）：2V至4V
- 漏极源电阻(RDS) <0.0098欧姆
- 上升时间和下降时间分别为60nS和75nS
- 可在To-220包
注意:完整的技术细节可以在页面底部链接的数据表中找到
替代STP80NF70
80年IRF3710 nf03
其他n沟道mosfet
BS170N，IRF3205，2 n7000，IRF1010E，IRF540N
关于STP80NF70
的STP80NF70是一种n沟道功率MOSFET，可开关负载高达68V。Mosfet可以切换高达98A的负载，它可以通过栅极和源极引脚提供2-4 V的栅极阈值电压来开启。这种MOSFET的优点是它只有0.0098欧姆的低通态电阻和低栅极输入电容，使它适合于高效率的开关器件。然而，交换速度的权衡似乎是，它有较长的上升和下降时间，使它不是高速交换设备的最佳选择。如果你喜欢低栅极电压的场效应晶体管，那么试试IRF540N或2 n7002等。
虽然mosfet的门阈值电压很低，为4V，但在这种模式下不传导高电流。因此，它不是一个逻辑水平的MOSET，因此不能使用在3.3V或5V设计具有良好的效率。最大栅极电压是20V，但12V应该足够在额定电压和电流下运行MOSFET。下面的图表显示了MOSFET的输出特性。
正如你所看到的，当栅极电压仅为5V时，MOSFET可以在漏极至源极电压约为18V时开关最大漏极电流为40A。如图所示，额定电流随着门源电压的增加而增加。对于较低的栅极电压，MOSFET只会部分关闭，从而产生较高的通态电阻。您可以参考本页面底部的数据表了解更多细节
应用
- 开关大功率器件
- 逆变器电路
- 直流-直流转换器
- 电动机的控制速度
- LED调光器或闪光灯
- 高速开关应用
组件的2D模型
如果您正在使用此组件设计PCB或Perf板，则STP80NF70数据表知道它的包装类型和尺寸是很有用的。
