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P55NF06 n通道功率MOSFET

P55NF06是一个n沟道MOSFET具有高漏极电流50A和低Rds值18 mΩ。它也有一个20V的VGS的MOSFET将开始导电。因此,它通常用于驱动应用程序。然而,如果MOSFET必须完全切换,则需要一个驱动电路。

P55NF06 MOSFET Pinout配置

密码

销的名字

描述

1

控制MOSFET的偏置

2

排水

电流通过漏极流入

3.

电流通过在MOSFET的源流出

功能和规格

  • n沟道MOSFET功率
  • 连续漏极电流(ID): 35A
  • 脉冲漏极电流(id -峰值)为50A
  • 漏源对源击穿电压:60V
  • 漏源电阻(RDS)为0.018欧姆
  • 门限电压(VGS-th)为20V (max)
  • 上升和下降时间分别为50nS和15nS
  • 输入电容1300 pf
  • 输出电容300 pf
  • 可在To-220包装

注意:完整的技术细节可在P55NF06数据表请在本页底部注明

P55NF06等效场效电晶体

IRF2807、IRFB3207 IRFB4710,IRFZ44NIRF1405IRF540NIRF3205

P55NF06 MOSFET概述

P55NF06 MOSFET是一种n沟道功率MOSFET,可用于许多不同的应用。这种MOSFET以其高漏极电流和转换速度快最重要的是,它有一个非常低的导通电阻,这增加了这个设备的效率。根据数据表,这个MOSFET将开始与一个小的栅极电压为10V,但最大漏电流将流动时,栅极电压为20V。由于这种MOSFET是为高功率应用而设计的,可以由微控制器或逻辑电平设备驱动。

这个MOSFET有一个只有4V的低门限电压,这意味着MOSFET可以打开,即使5V从GPIO引脚微控制器,如Arduino。188金宝搏官方网站但这并不意味着MOSFET只需要5V就可以完全打开,它需要大约10V的栅极引脚来完全打开并提供27A恒定电流。所以,如果你正在寻找一个MOSFET与微控制器使用,那么你应该考虑逻辑级MOSFET2 n7002或者IRLZ44N等等。或者,你也可以使用一个驱动电路提供10V到使用晶体管的MOSFET的门脚。该MOSFET具有良好的频响特性,可用于DC-DC转换电路中。

在正常情况下和没有外部影响就没有电压出现在门口的MOSFET因为MOSFET是由一个电容器,这就是为什么我们需要下拉的门MOSFET在地上为了防止虚假的触发电路,我们都知道MOSFET是电压控制器件,这意味着关闭MOSFET,我们需要提供只电压到栅极,理论上没有电流应该流过栅极,但实际上少量的泄漏电流流过栅极。

如何使用P55NF06 MOSFET

mosfet是电压控制器件,因此只需要很小的电压就可以打开它们。P55NF06 MOSFET,门刺激电压只有4 v, P55NF06是一个n沟道MOSFET,意味着它将在MOSFET的栅连接到VCC的供应,这将是当其拆除或连接到地面。

下面的模拟电路显示了当基本电路的栅极连接到地以及当它连接到电源的VCC时,这个MOSFET的行为。

P55NF06 MOSFET电路图

当我们打开MOSFET通过连接栅极电源,MOSFET将保持on除非栅极电压的MOSFET低于阈值电压的MOSFET。对于这个P55NF06 MOSFET,这个电压小于4V,低于这个电压MOSFET将处于其欧姆态,没有电流将流过该器件。正如我们之前提到的MOSFET的栅极应该与下拉电阻的帮助连接到地,如在示例电路中所示,一个10K的电阻被用来拉下MOSFET的栅极到地。

应用程序

  • 电动助力转向(EPS)
  • 防抱死制动系统(ABS)
  • 刮水器开关
  • 气候控制
  • 权力的门

二维模型及尺寸

如果你正在用这个组件设计PCB或Perf板,那么以下P55NF06数据表中的详细信息将有助于了解它的封装类型和尺寸。

P55NF06 MOSFET尺寸

部分数据表

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