IRF530 N沟道MOSFETGydF4y2Ba

IRF530GydF4y2Ba是一种N沟道MOSFET，专为高速和大功率应用而设计。它可以在100 V电压下维持14 A的连续电流。在脉冲模式下，它可以驱动高达56 a的负载。在本系列中，还有其他一些晶体管的规格略有不同，如IRF531、IRF532和IRF533。GydF4y2Ba

用户可以通过IC和微控制器的输出操作该MOSFET，因为其设计用于在低栅极驱动电流下工作。这种MOSFET可以在-5188金宝搏官方网站5˚C到+175˚C的温度范围内工作。由于其低成本和坚固的设计，它在工业中更受欢迎。它还具有低导通电阻和快速开关的特点。GydF4y2Ba

对于长寿命性能，所有部件的使用量至少比其最大限值低20%。IRF530的最大工作电流为14 A。GydF4y2Ba因此，为了更好地使用寿命，它必须在11.2A电流和80V以下的负载电压下工作。GydF4y2Ba

IRF530引脚说明GydF4y2Ba

别针号码GydF4y2Ba	密码名GydF4y2Ba	Pin码描述GydF4y2Ba
1.GydF4y2Ba	大门GydF4y2Ba	控制MOSFET的偏置GydF4y2Ba
2.GydF4y2Ba	排水GydF4y2Ba	电流通过漏极流入GydF4y2Ba
3.GydF4y2Ba	来源GydF4y2Ba	电流通过电源流出GydF4y2Ba

特性和规格GydF4y2Ba

• 动态dv/dt额定值GydF4y2Ba
• 快速切换GydF4y2Ba
• 易于并联GydF4y2Ba
• 所需的简单驱动电路GydF4y2Ba
• 重复雪崩额定值GydF4y2Ba
• 最大漏极至源极电压VGydF4y2Ba_DSGydF4y2Ba：100VGydF4y2Ba
• 最大持续漏电流IGydF4y2Ba_DGydF4y2Ba：14AGydF4y2Ba
• 脉冲漏极电流：56AGydF4y2Ba
• 最大功耗：88WGydF4y2Ba
• 最大栅源电压：±20VGydF4y2Ba
• 二极管峰值恢复dv/dt:5.5V/nsGydF4y2Ba
• 通态电阻：0.16ΩGydF4y2Ba
• 总门电荷QGydF4y2Ba_GGydF4y2Ba：26nCGydF4y2Ba
• 工作连接和存储温度范围：-55˚C至+175˚CGydF4y2Ba
• 包装：TO-220ABGydF4y2Ba
• 晶体管极性：N沟道GydF4y2Ba

IRF530当量GydF4y2Ba

IRF641、IRF642、IRFB4620、IRFB5620、IRFI530G、IRFS530、BUZ20GydF4y2Ba

注:GydF4y2Ba更多技术规格可在GydF4y2BaIRF530数据表GydF4y2Ba附于本页末尾。GydF4y2Ba

开关特性GydF4y2Ba

开启延迟时间tGydF4y2Ba_{d（on）GydF4y2Ba}：10纳秒GydF4y2Ba

上升时间tGydF4y2Ba_RGydF4y2Ba：34nsGydF4y2Ba

关闭延迟时间tGydF4y2Ba_{d（关）GydF4y2Ba}：23nsGydF4y2Ba

下降时间tGydF4y2Ba_FGydF4y2Ba：24nsGydF4y2Ba

IRF530 N沟道MOSFET的工作原理GydF4y2Ba

在这里，我们将使用IRF530运行直流电机。在该电路图中，可变电阻用于控制直流电机的速度。直流电机连接在IRF530的漏极和源极端子之间。这个模拟是在proteus中完成的。借助可变电阻，我们可以设置栅极到漏极之间的电阻。GydF4y2Ba

电机的速度与通过电机的电流成比例（漏极至源极电流或漏极电流通过电机）。随着电阻的增加，漏极电流和速度降低。类似地，随着电阻减小，漏极电流增加，速度也增加。GydF4y2Ba

应用GydF4y2Ba

• 电池管理系统和电池充电器GydF4y2Ba
• 电机驱动GydF4y2Ba
• 太阳能电源应用GydF4y2Ba
• 不间断电源GydF4y2Ba
• DC-DC和DC-AC转换器GydF4y2Ba
• 调节器GydF4y2Ba
• 音频放大器GydF4y2Ba
• 电磁阀和继电器驱动器GydF4y2Ba

二维模型和尺寸GydF4y2Ba

如果您正在使用此组件设计PCB或Perf板，则GydF4y2BaIRF530GydF4y2Ba数据表将有助于了解其包装类型和尺寸。GydF4y2Ba