IRF1010E - n沟道功率MOSFET

IRF1010E是一种n沟道增强MOSFET，专为高速开关应用而设计。它还具有低导通电阻。像任何其他MOSFET一样，IRF1010E是电压控制器件，MOSFET状态由栅极电压决定。

IRF1010E引脚配置

它有三个引脚，即大门,排水和来源．的IRF1010E的引脚配置下面给出了一个例子。

密码	密码名	描述
3.	来源	正常接地
2.	排水	正常连接到LOAD
1.	大门	通常用作开启MOSFET的触发器。

IRF1010E特性和规格

• 先进工艺技术
• 完全雪崩额定
• 快速切换
• 第五代HEXFET
• 漏极和源极的最大电压:60V
• 槽漏允许的最大持续电流：81A
• 最大脉冲漏电流:330A
• 通过栅极和电源的最大电压：20 V
• 最高工作温度：175ºC
• 最大功耗：170瓦

注:完整的技术资料可在IRF1010E数据表链接在此页面底部。

IRF1010E等价物

IRF1407、IRFB4110、IRFB4110G、IRFB4115、IRFB4310Z、IRFB4310ZG、IRFB4410

在哪里使用IRF1010E？

使用IRF1010E有很多原因，以下是一些原因：

• 当您需要用于中等功率负载的高速开关设备时。如上所述，IRF1010E是专为中等功率负载的高速切换而设计的，因此在这些地区相当流行。
• 当需要低降开关装置时。MOSFET的通断电阻非常低，导致在通断条件下的降非常低，这在某些应用中是必须的条件。
• 低压降时，MOSFET的功率损耗将更小。功率损耗越小，系统的效率就越高。因此，MOSFET是高效率应用的首选。

如何使用IRF1010E

IRF1010E MOSFET可以使用类似于任何其他功率MOSFET，所以让我们考虑一个示例电路Irf1010e，如下所示。

在上述电路中，我们使用IRF1010E作为一个简单的开关器件。在电路中，我们使用小型电动机作为负载。用于开启MOSFET的触发器由控制单元提供（不是微控制器，因为微控制器不能提供高于+5V的电压）。电源接地。这里的电源是+12V电池。

控制单元触发电压=V1

栅极电压=V2

这里的电阻R1和R2形成一个分压器电路，在GATE处提供适当的电压。因此，它们是根据控制单元触发电压(V1)和MOSFET栅极阈值电压来选择的。

例如，考虑控制单元提供电压+12V的脉冲。此外，为了完全开启MOSFET IRF1010E，我们需要10V的栅极电压。

所以V1=+12V和V2=+10V

我们可以选择R1和R2，

R1	R2
200Ω	1KΩ
400Ω	2 kΩ
2 kΩ	10公里Ω

上表中任意一组形成的分压器电路将在MOSFET栅极处给出精确的+10V电压。该电阻组可以在不考虑MOSFET电流消耗的情况下选择，因为它可以忽略不计。对于正常应用，可大致选择这些电阻。

在上述电路中，在正常条件下，MOSFET将关闭，因为这些将没有栅极电压。当MOSFET关闭时，整个VCC就会出现在其上。在这种情况下，漏极电流将为零。由于漏极电流为零，电机将处于空闲状态。

当控制单元提供电压脉冲时，将出现栅极电压。当栅极电压存在时，MOSFET被调谐。这样会有漏电流流过电机。有电流流动，马达开始转动。电机将保持旋转，直到出现栅极电压。

当控制单元输出变低时，栅电压也变低。当GATE电压低于阈值电压时，MOSFET关闭。在OFF状态下，漏极电流也变为零，使电机停止。

通过以上场景，您可以知道MOSFET用作开关器件触发器由控制单元提供。通过这种方式，我们可以在任何应用中使用IRF1010E作为开关设备。上述电路是一个简单的测试电路，不是应用电路。应用电路必须具有所需的布置，如散热器、反激二极管等。

应用

1. 基本上任何切换应用程序
2. 速度控制单元
3. 照明系统
4. PWM应用
5. 中继驱动器
6. 开关电源

2维模型

所有测量单位均为毫米（英寸）