BSS123逻辑电平N沟道Mosfet
BSS138是一种SMD封装(SOT23)逻辑电平N沟道MOSFET,漏电流为170mA,漏源电压为100V。MOSFET通常也具有1.7V的低阈值电压。
引脚配置
密码
|
密码名
|
描述
|
1. |
来源 |
电流通过电源流出 |
2. |
大门 |
控制MOSFET的偏置 |
3. |
排水 |
电流通过漏极流入 |
特征
·低导通电阻逻辑电平N沟道MOSFET
·连续漏极电流(ID)为170mA
·漏源极电压(VDS)为100V
·通态电阻为6Ω
·典型的栅极阈值电压(VGS th)为1.7V
·开启和关闭延迟时间分别为1.7ns和17ns
·SOT23 SMD封装中提供
注:完整的技术信息可在本页末尾的数据表中找到。
BSS123的替代方案:BSS138NTR4003,2N7002,FDC666,FDC558,BS170,2N7000
BSS123的等效P信道:BSS84,FDN358P
其他N沟道Mosfet:BS170N,IRF3205,2N7000,IRF1010E,IRF540N
BSS123说明
BSS123是一种紧凑的逻辑电平N沟道Mosfet。mosfet的阈值电压非常低,为01.7V,因此可用于任何低压应用电路和电平转换应用。除此之外,Mosfet还具有低导通电阻和低输入电容,这使得它在开关电路中非常有效,因为即使在高速开关时,它也只需要较少的栅极电流。
BSS123的规格稍贵一些,因此如果您正在寻找便宜的替代品,请务必进行检查2N7002.然而,你必须用Mosfet的通态电阻和阈值电压进行轻微的补偿。这种mosfet在SMD封装,因此可以用于紧凑的应用。mosfet的一个相当大的缺点是它的低漏极电流;它可以提供170mA的连续电流,在最大阈值电压下峰值电流高达1A。超过这个值就会损坏mosfet。你也可以检查BSS1238其漏极电流为200mA。
BSS123应用程序
·低电流和低电压开关应用
·逻辑电平换档器
·DC-DC转换器
·可移动应用程序
·需要低导通状态电阻的应用。
·电源管理应用
二维模型
Mosfet在SOT23中可用,其尺寸如下所示。