BS170 - n沟道MOSFET

销的配置

销不。	销的名字	描述
1	D	排水终端
2	G	门端子，用于接通
3.	年代	源终端

特性

• Pb-Free设备
• 低偏置和误差电压
• 无需缓冲器即可驱动
• 高密度电池设计，最大限度地减小通态电阻RDS(ON)
• 电压控制小信号开关
• 特别适用于低电压、低电流的应用
• 高饱和电流能力
• 坚固和可靠
• 快速切换(TON = 4ns)

技术规范

• 漏源极电压（VDS）：60 V
• Gate-Source电压(vg):
  • 连续:±20 V
  • 非重复性的:40±Vpk
• 漏极电流(ID):
  • 连续:500马
  • 非重复性的:1200马
• 低导通电阻：2.5Ω
• 低输入电容:22pF
• 焊接铅温:300℃(最高)
• 开关特点:
  • 开机时间(吨):4到10ns
  • 关闭时间(TOFF): 4到10ns
• 操作和储存温度范围:-55至150℃

注意:完整的技术资料可在BS170数据表链接在本页底部。

BS170等效MOSFET

2 n7000，2 n7002， vq1000j, vq1000p, irlml2502

在哪里使用BS170 MOSFET?

通过制造DMOS结构技术，最适用于低电压，低电流的应用伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。BS170适用于大多数应用场合，直流电流要求高达500mA。也用于高速电路。

如何使用BS170 MOSFET?

在这个电路中，我们只是打开/关闭LED使用BS170 n沟道MOSFET．这里，栅极和漏极端子通过5v直流电源连接，LED连接到电源。当打开开关施加栅极脉冲时，MOSFET通过漏极到源极传导电流，LED开始发光。LED保持亮，直到门脉冲作用。当栅极脉冲被移除时，LED关闭。

应用程序

• 电池供电的系统
• 固态继电器
• 驱动器:继电器，螺线管，灯，锤子，显示器，存储器，晶体管等。
• 直接逻辑级接口:TTL/CMOS

2维模型和尺寸