2N7000 - n沟道MOSFET
2N7000 MOSFET引脚配置：
密码 |
密码名 |
描述 |
1. |
来源 |
电流通过电源流出 |
2. |
大门 |
控制MOSFET的偏置 |
3. |
排水 |
电流通过漏极流入 |
特征：
- 小信号n通道MOSFET
- 漏源极电压(VDS)为60V
- 连续漏极电流（ID）为200mA
- 脉冲漏电流（ID峰值）为500mA
- 栅极阈值电压（VGS th）为3V
- 栅源电压（VGS）为±20V
- 开启和关闭时间各为10ns。
- To-92包装提供
注:完整的技术细节可在2 n7000数据表在本页末尾给出。
2N7000等效N沟道MOSFET：
BS170491年,,IRF3205,IRF540N，IRF9Z34N，IRFP250N，IRFZ44。
在何处使用2N7000：
2N7000是一个小信号N沟道MOSFET.MOSFET电力电子开关就像晶体管，但具有更高的电流和电压额定值。这个2N7000 MOSFET可用于切换工作电压低于60V（VDS）和200mA（ID）的负载。该mosfet采用紧凑的TO-92封装，阈值电压为3V，因此，如果您需要一个小型mosfet来切换负载，那么该IC可能适合您的用途。
如何使用2N7000：
场效应晶体管有三个端子-漏极、源极和门极。电流总是从漏极流入，从源极流出。栅极引脚充当开关，用于打开或关闭mosfet。如果栅极连接到地，那么场效应晶体管是关闭的，即在漏极和源极(开)之间没有连接。如果栅极具有其栅极源电压(VGS)，那么MOSFET将是ON的，即漏极和源极引脚将连接在一起(关闭)。因此，通过控制电压(VGS)，我们可以开关Mosfet，因此Mosfet是一个电压控制器件。
当使用晶体管（栅极）时，电压参数为临界电压。对于该晶体管，VG为20V，因此当我们提供该电压时，MOSFET将完全闭合。任何介于20V之间的值都会使MOSFET部分闭合，从而形成部分连接。由MOSFET切换的负载可高达60V（VDS），并可消耗高达200mA（ID）。
我给出了一个非常简单的电路下面使用这个MOSFET控制负载电机24V 2A。还可以观察开关合、开时的电流和电压值。
正如我们所知，这种Mosfet的栅源电压是20V，因此我们使用20V来开启Mosfet。当栅极开关打开时，Mosfet的栅极引脚应接地以关闭负载，因此我们使用了10K下拉电阻器（RGS）在Mosfet打开后关闭Mosfet。电阻器RG是一个限流电阻器，用于限制所需的栅极电流。如果Mosfet控制的负载是电感负载，就像我们在这里使用的电机一样，则必须使用飞轮（又称飞轮）二极管安全地释放电感线圈积累的电荷。
应用：
- 切换高压负载
- 通常用于小信号切换
- LED调光器或闪光灯
- 低功率模拟转换器或逆变器
二维模型和尺寸
如果使用此组件设计PCB或Perf板，则2N7000数据表了解其包装类型和尺寸将非常有用。
