Adam Tech线对板解决方案包括标准，电源，锁紧和锁定连接器。
常用的mosfet在电力电子设计中
MOSFET是电力电子学中重要的器件之一，我们已经研究了很多MOSFET及其引脚图、数据表和特性以及如何在电路中使用它们。选择一个MOSFET为您的项目可能是一个艰巨和耗时的任务，因为您必须通过每个MOSFET的规格。所以我们决定合并流行的mosfet列表这有助于解决问题为您的应用选择正确的MOSFET．
所以，如果你正在建造一些电力电子电路，并考虑如何选择合适的MOSFET对于你的特定应用，这里是一个流行的通孔和表面安装mosfet的列表，你可以在你的本地或网上商店找到。
BS170
的BS170是一种最常见的n沟道增强模式MOSFET，被许多电子设计人员和爱好者使用;它采用TO-92封装，在低电压、低电流应用中表现最佳。
BS170 MOSFET的一些基本特性使其适合于某些应用，例如:
- 它具有2.1V的低阈值电压，这意味着它可以由一个3.3V的逻辑级微控制器，如Arduino驱动。
- 它具有22pF的低输入电容，适用于基本高频开关驱动器。
- 2.5Ω的低导通电阻提高了该MOSFET在大功率LED驱动器等应用中的效率。
- 它具有非常快的7ns切换速度，这意味着它可以用作SPI, I2C和UART的双向逻辑电平转换器。
- 它可以作为一个低噪声前置放大器，带有电压放大器配置。
最重要的参数：
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS |
60 |
Vdc |
门−电压源 −连续 −非重复性(tp≤50 s) |
VGS VGSM |
±20 40± |
Vdc Vpk |
排水−源导通电阻 (VGS = 10 Vdc,ID = 200 mAdc)输出说明 |
RDS(上) |
1．8 |
Ω |
漏极电流(注意) |
ID |
0．5 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
350 |
兆瓦 |
排水−源击穿电压 （VGS=0，ID=100 mAdc） |
V (BR) DSS |
90 |
Vdc |
总门费 (vds = 30v, id = 0.5 a, VGS = 20) |
路上(Max) |
2．4 |
数控 |
栅极阈值电压 (VDS = VGS, ID = 1.0 mAdc) |
vg (Th) |
2．0 |
Vdc |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
−55至 + 150 |
°C |
零件号:BS170
数据表的链接:BS170 MOSFET Datasheet链路数据表
同类产品:BS170F
BS250
BS250是一个p沟道增强模式MOSFET在to -92封装中，它被设计用于低电压和低电流应用。下面列出了一些BS250 MOSFET的基本特性这使得它适合于某些应用:
- 它具有低阈值电压-1.9V，这意味着它可以由1.8V逻辑级微控制器驱动。188金宝搏官方网站
- 由于它是一个p沟道MOSFET，它可以用于高侧开关应用
- 由于低导通电阻，它可以驱动高达0.18 a的负载。
- 只有16ns的快速开关速度和只有15pF的低输入电容使其成为许多开关应用的合适选择。
- 它可以用作继电器，螺线管，灯，显示器，存储器，功率晶体管和电机的驱动器。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−酸ce电压 |
VDS |
−45 |
Vdc |
门−电压源 −连续 |
VGS |
25± |
Vdc |
排水−源导通电阻 (VGS = -10 Vdc,ID = -0.2 Adc) |
RDS(上) |
14 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID IDM |
−0.18 2．2 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
0.83 |
W |
排水−源击穿电压 (VGS = 0, ID = 21 mA) |
V (BR) DSS |
−45 |
Vdc |
总门费 |
路上(Max)。 |
1．8 |
数控 |
栅极阈值电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
−1至−3.5 |
Vdc |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
−55至 + 150 |
°C |
零件号:BS250
数据表的链接:点击这里打开数据表
注意:这是一种常见的产品，可以在当地商店找到，其开关时间基本上与操作温度无关。
BSS138
的BSS138是最常见的n沟道增强MOSFET，使用的是ON Semiconductor的专利，基于高电池密度和DMOS技术，这是许多电子生产公司，设计师和爱好者使用。它采用SOT-23封装，在低电压、低电流应用中表现最佳。
一些基本的BSS138 MOSFET的特点使它适合某些应用程序，如:
- 它有一个非常低的门限值电压1.5V，这意味着它可以由一个1.8V的逻辑级微控制器驱动。
- 它具有27pF@1MHz的低输入电容，是基本高频开关驱动器的合适选择。
- 3.5Ω的低导通电阻和200mA的导通漏极电流，适用于LED，电机或继电器驱动应用。
- 它具有20纳秒的开关速度，是作为双向逻辑电平转换器的理想选择。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS |
50 |
Vdc |
门−电压源 −连续 −非重复性(tp≤50 s) |
VGS VGSM |
±20 40± |
Vdc Vpk |
排水−源导通电阻 (VGS = 10 Vdc,ID = 200 mAdc)输出说明 |
RDS(上) |
3．5 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID |
口径。 .88 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
360 |
兆瓦 |
排水−源击穿电压 （VGS=0，ID=100 mAdc） |
V (BR) DSS |
50 |
Vdc |
总门费 |
路上(Max)。 |
2．4 |
数控 |
栅极阈值电压 (VDS = VGS, ID = 1.0 mAdc) |
vg (Th) |
1．5 |
Vdc |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
−55至 + 150 |
°C |
零件号:BSS138
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:BSS123，BSS126H6327XTSA2
注意:这是一种常见的产品，可以在当地商店找到。另外，记住要正确地设计PCB，使用不当的PCB设计可能会导致热问题。
IRF540
的IRF540是另一个最常见的增强n沟道MOSFET它被许多电子设计师和爱好者使用。它采用TO-220AB封装，因此它是所有商业工业应用的首选，在低压大电流应用中表现最佳。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在业界非常流行。下面列出了一些基本功能和应用程序
- 它的低阈值电压为2.1V，这意味着它可以由3.3V逻辑级微控制器（如Arduino或PIC微控制器）驱动。
- 它有一个非常低的通阻只有77 mΩ，这使它适合驱动一个沉重的负载。
- 由于开关速度快、输入电容小，它被应用于许多开关应用中。
- 低导通电阻和低输入栅极电容使其适合并联操作。
- 动态dv/dt可防止场效应晶体管的假开关、振荡或永久性损坏。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS |
One hundred. |
Vdc |
门−电压源 −连续 |
VGS |
±20 |
Vdc |
排水−源导通电阻 (VGS = 10 Vdc,ID = 17 Adc) |
RDS(上) |
0.077 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID IDM |
28 110 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
150 |
W |
排水−源击穿电压 （VGS=0，ID=250μA） |
V (BR) DSS |
One hundred. |
Vdc |
总门费 |
路上(Max)。 |
72 |
数控 |
栅极阈值电压 （VDS=VGS，ID=250μA） |
vg (Th) |
4 |
Vdc |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
- 55 + 175 |
°C |
零件号:IRF540NPBF
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:IRF520，IRF530，IRF640，IRF840
注意:这是一种常见的产品，可以在当地的电子配件商店找到。
IRF9540
IRF9540是最常见的p沟道增强模式硅栅MOSFET，被许多电子设计人员和爱好者使用。它采用TO-220封装，所以它是各种商业-工业应用的完美选择，它在低电压高电流应用中表现最好。
IRF9540 MOSFET的一些基本特性和应用如下：
- 动态dv/dt可防止假开关、振荡或对MOSFET的永久性损坏。
- 它的导通电阻非常低，为0.2Ω提高了系统的整体效率。
- 由于它是一个p沟道MOSFET，它可以用于高侧开关应用
- 该MOSFET是逆变器应用的完美选择。
- 由于其宽工作温度和低成本，它在整个行业中被广泛接受。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS |
－100 |
Vdc |
门−电压源 −连续 |
VGS |
±20 |
Vdc |
排水−源导通电阻 （VGS=-10 Vdc，ID=-11 Adc） |
RDS(上) |
．20 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID IDM |
- 19 - 72 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
150 |
W |
排水−源击穿电压 (vgs = 0, id = - 250 μa) |
V (BR) DSS |
－100 |
Vdc |
总门费 |
路上(Max)。 |
61 |
数控 |
栅极阈值电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
-4.0 |
Vdc |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
- 55 + 175 |
°C |
零件号:IRF9540
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:IRF9530NPBF，IRF9630PBF
注意:这是一种常见的产品，可以在当地的电子配件商店找到。
IRFZ44NPbF
IRFZ44NPbF是另一种最常见的N沟道增强型MOSFET，采用国际整流器先进的HEXFET®技术设计，由于其极低的导通电阻，被许多电子设计师和爱好者使用。它采用TO-220封装，这是所有商业工业应用的普遍首选，因此它在低压低电流应用中表现最佳。
一些IRFZ44NPbF MOSFET的基本特性使其适用于下列特定应用：
- 动态dv/dt可防止假开关、振荡或对MOSFET的永久性损坏。
- 它的导通电阻非常低，为17.5mΩ，最大限度地提高了系统的效率。
- 通用用途的应用，如电机驱动器，逆变器，开关电源，DC-DC转换器可以从这个MOSFET。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS |
60 |
Vdc |
门−电压源 −连续 |
VGS |
±20 |
Vdc |
排水−源导通电阻 （VGS=-10 Vdc，ID=-11 Adc） |
RDS(上) |
0.028 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID IDM |
50 200 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
150 |
W |
排水−源击穿电压 (vgs = 0, id = - 250 μa) |
V (BR) DSS |
60 |
Vdc |
总门费 |
路上(Max)。 |
67 |
数控 |
栅极阈值电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
4．0 |
Vdc |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
- 55 + 175 |
°C |
零件号:IRFZ44NPbF
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:IRFZ20，IRFZ24NPBF，IRFZ34PBF，IRFZ44NPBF
注意:这是一种常见的产品，可以在当地的电子配件商店找到。另外，请注意它的连续漏极电流(ID)受到包的限制。
IRLZ44N
的IRLZ44N是另一个最常见的n沟道增强模式MOSFET，采用国际先进的整流器第五代HEXFET®技术。它被许多电子设计人员使用，因为它采用TO-220封装，这是所有商业-工业应用的普遍首选，它在低电压、低电流应用中表现最好。
一些IRLZ44N MOSFET的基本特性使其适用于下列特定应用：
- 它是一个逻辑级MOSFET，这意味着它可以由许多不同类型的微控制器驱动。
- 这种MOSFET的低导通电阻使它适合于许多大电流驱动应用。
- 由于只有3.3nF的低输入电容，它支持许多大电流MOSFET栅极驱动IC。
- 动态dv/dt可防止场效应晶体管的假开关、振荡或永久性损坏。
- 该MOSFET可用于许多通用应用，如h桥电机驱动器，功率MOSFET栅极驱动器和更多。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS |
60 |
Vdc |
门−电压源 −连续 |
VGS |
± 10 |
Vdc |
排水−源导通电阻 （VGS=-10 Vdc，ID=-11 Adc） |
RDS(上) |
0.028 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID IDM |
50 200 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
150 |
W |
排水−源击穿电压 (vgs = 0, id = - 250 μa) |
V (BR) DSS |
60 |
Vdc |
总门费 |
路上(Max)。 |
66 |
数控 |
栅极阈值电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
2．0 |
Vdc |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
- 55 + 175 |
°C |
零件号:IRLZ44N
数据表的链接:点击这里打开数据表
注意:这是一种常见的产品，可以在当地的电子配件商店找到。它是当前受包的限制，因此在选择包时考虑数据表。
SSM6N7002KFU,低频
该SSM6N7002KFU, LF是一个罕见的n沟道增强MOSFET并且采用US6包装，所以它可以用于一些非常紧凑的产品和应用。这种MOSFET的成本非常低，使它成为许多人的合适选择应用程序以下列出了其中一些：
- 它具有2.1V的低阈值电压，这意味着它可以由微控制器或MOSFET栅极驱动IC驱动。
- 它在一个US6封装中容纳两个MOSFET，因此可以配置为半桥驱动器。
- 只有1.2Ω的低导通电阻使它适合于功率MOSFET栅极驱动器
- DS6封装中的双mosfet也可以配置为恒流led驱动器。
- 该MOSFET符合AEC-Q101标准，这意味着该MOSFET是汽车级应用的完美选择。
- 体积小，功率高，设计可靠，适合作为无刷直流电机驱动．
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS |
60 |
Vdc |
门−电压源 −连续 |
VGS |
±20 |
Vdc |
排水−源导通电阻 （VGS=10 Vdc，ID=100 mAdc） |
RDS(上) |
1．5 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID 国内流离失所者 |
300 1200 |
mAdc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
500 |
兆瓦 |
排水−源击穿电压 (vgs = 0, id = - 250 μa) |
V (BR) DSS |
60 |
Vdc |
总门费 |
路上(Max)。 |
0．6 |
数控 |
栅极阈值电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
2．1 |
Vdc |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
- 55 + 150 |
°C |
零件号:SSM6N7002KFU,低频
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:SSM6K18TU (TE85L F)，SSM2135SZ
注意:连续使用SSM6N7002KFU, LF MOSFET在重载下可能会导致本产品的可靠性显著下降，即使在额定规格的操作条件内。在实体店很难买到，但可以在网上买到。
RQ3E130BNTB
RQ3E130BNTB是另一种独特的N沟道增强MOSFET，采用HSMT8封装，因此具有相当好的热性能，在低压大电流应用中表现最佳。只有6mΩ的低导通电阻是该MOSFET的另一个独特特性，HSMT8的极低封装成本使其在设计和生产方面具有很高的成本效益。
一些基本的RQ3E130BNTB的特点和应用下列为：
- 仅6mΩ的超低导通电阻和小尺寸使其成为高功率紧凑型电子设计的完美选择。
- 高功率的HSMT8封装，使PCB内的热设计非常容易
- 应用包括小型电源，DC-DC转换器，电力输送系统，电机驱动器，等等。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS |
30. |
Vdc |
门−电压源 −连续 |
VGS |
±20 |
Vdc |
排水−源导通电阻 （VGS=-10 Vdc，ID=-11 Adc） |
RDS(上) |
0.006 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID IDM |
39 52 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
16 |
W |
排水−源击穿电压 (vgs = 0, id = - 250 μa) |
V (BR) DSS |
30. |
Vdc |
总门费 |
路上(Max)。 |
36 |
数控 |
栅极阈值电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
2．5 |
Vdc |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
- 55 + 150 |
°C |
零件号:RQ3E130BNTB
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:RQ3E160ADTB，RQ3E100BNTB，RQ3E120ATTB，RQ3E070BNTB
请注意它也不容易在实体店买到，但可以在网上买到。
DMP210DUFB4-7
DMP210DUFB4-7是另一种独特的P沟道增强MOSFET它采用X2-DFN1006-3封装，尺寸为1.1x0.7x0.4 mm，这意味着它实际上很小。只有5Ω的导通电阻，它可以成为设计工程师寻找小信号mosfet的一个很好的选择。
DMP210DUFB4-7 MOSFET具有许多独特的特性，如下所示:
- p沟道MOSFET用于高侧开关应用。
- 5Ω的低导通电阻和200mA的导通漏极电流，适用于LED，电机或继电器驱动应用。
- 极低的门限值电压仅-1.0V，确保其能够由微控制器驱动。
- 它具有13.7pF的低输入电容，是一个合适的高频开关驱动器的选择。
- 只有7.7nS的快速切换速度确保了准确的切换性能
- 栅极端的ESD保护二极管大大提高了ESD性能。
- 该MOSFET符合AEC-Q101标准，这意味着该MOSFET是汽车级应用的完美选择。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS |
－20 |
Vdc |
门−电压源 −连续 |
VGS |
± 10 |
Vdc |
排水−源导通电阻 VGS = -1.5V, ID = -10mA |
RDS(上) |
15 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID IDM |
-200年 -600年 |
马 |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
350 |
兆瓦 |
排水−源击穿电压 (vgs = 0, id = - 250 μa) |
V (BR) DSS |
－20 |
Vdc |
总门费 |
路上(Max)。 |
30. |
数控 |
栅极阈值电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
-1.0 |
Vdc |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
- 55 + 150 |
°C |
零件号:DMP210DUFB4-7
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:DMP2170U-7，DMP2104LP-7
IRFP150NPBF
的IRFP150NPBF是另一种最常见的n沟道增强模式MOSFET采用国际整流器第五代先进的HEXFET®技术设计，实现极低导通电阻。它被许多电子设计人员使用，因为它是在TO-247封装中，它在低电压高电流的商业-工业应用中表现最好。
一些IRFP150NPBF MOSFET的基本特征下列为：
- 该MOSFET的导通电阻非常低，仅为36 mΩ，输入电容非常低，为2.8nF，因此可用于高速开关稳压器。
- 动态dv/dt可防止场效应晶体管的假开关、振荡或永久性损坏。
- 这种MOSFET适用于一些工业应用，包括大功率开关电源电路、恒流负载等。
- 孤立的中央安装孔是一个奖金。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS |
One hundred. |
Vdc |
门−电压源 −连续 |
VGS |
±20 |
Vdc |
排水−源导通电阻 （VGS=10 Vdc，ID=100 mAdc） |
RDS(上) |
0.055 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID 国内流离失所者 |
41 160 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
230 |
W |
排水−源击穿电压 (vgs = 0, id = 250 μa) |
V (BR) DSS |
One hundred. |
Vdc |
总门费 |
路上(Max)。 |
140 |
数控 |
栅极阈值电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
4．0 |
Vdc |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
- 55 + 175 |
°C |
零件号:IRFP150
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:IRFP140NPBF，IRFP2907PBF，IRFP250MPBF，IRFP350PBF
注意:这是一种常见的产品，可以在当地的电子零件店找到。
SiHG47N60E
的SiHG47N60E是另一种最常见的n沟道增强MOSFET它是由Vishay Siliconix设计的。它采用TO-247AC封装，因此它是所有商业-工业高压高电流应用的首选。TO-247AC封装的低热阻和低封装成本使其在行业中非常受欢迎。
一些基本的SiHG47N60E的特点及应用下列为：
- 它具有650V的源极击穿电压和32A的恒定负载电流，这意味着它用于非常高的功率工业应用。
- 低输入电容的9.62nF使它成为一个完美的高压斩波驱动器。
- 虽然它是一个非常高的功率MOSFET，但它有一个非常低的栅电荷只有220 nC，这意味着它可以由一个非常便宜的MOSFET栅驱动IC驱动。
- 雪崩能量等级(UIS)使它与许多应用程序兼容。
- 其中一些应用包括
- 开关电源(SMPS)，
- 功率因数校正电源
- 荧光灯镇流器光
- 高强度放电灯
- 焊接
- 感应加热
- 电池充电器
- 太阳能(光伏逆变器)
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS |
600 |
Vdc |
门−电压源 −连续 |
VGS |
±30 |
Vdc |
排水−源导通电阻 （VGS=10 Vdc，ID=24 Adc） |
RDS(上) |
.53 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID 国内流离失所者 |
47 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
357 |
W |
排水−源击穿电压 (vgs = 0, id = 250 μa) |
V (BR) DSS |
600 |
Vdc |
总门费 |
路上(Max)。 |
220 |
数控 |
栅极阈值电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
4 |
Vdc |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
-55年到 + 150 |
°C |
零件号:SiHG47N60E
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:SIHG47N60E-GE3
注意:这是一种常见的产品，可以在当地的电子配件商店找到。
STB55NF06FP
STB55NF06FP是另一种最常见的N沟道增强型MOSFET由意法半导体公司设计，采用其专利的stripet工艺。它采用TO-220FP封装，可以在低电压、高电流、低热阻的商业-工业应用中发挥最佳性能。TO-220FP的低包装成本使它在行业中非常受欢迎。
一些基本的产品特点及应用下面列出
- 低输入电容的1300pF使它适合许多高速开关应用。
- 7 V/ns dv/dt可防止MOSFET的错误开关、振荡或永久性损坏。
- 这种MOSFET的栅极电荷非常低，仅为60NC，这意味着在开关应用中。它可以由非常便宜的MOSFET栅极驱动IC驱动。
- 其中一些应用包括
- 开关调节器
- 直流-直流转换器
- 恒流负载
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−酸ce电压 |
VDS |
60 |
Vdc |
门−电压源 −连续 |
VGS |
±20 |
Vdc |
排水−源导通电阻 (VGS = 10 Vdc,ID = 27.5 Adc) |
RDS(上) |
0.015 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID 国内流离失所者 |
50 200 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
30. |
W |
排水−源击穿电压 (vgs = 0, id = 250 μa) |
V (BR) DSS |
60 |
Vdc |
总门费 |
路上(Max)。 |
60 |
数控 |
栅极阈值电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
2 - 4 |
Vdc |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
-55年到 + 150 |
°C |
零件号:STB55NF06
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:SiHG47N60E
注意:这是一种常见的产品，可以在当地的电子配件商店找到。
IPB035N08N3 G
IPB035N08N3 G是另一款独特的产品增强n沟道MOSFET它采用PG-TO263-3封装，因此它具有相当好的热性能，在低电压高电流应用中表现最好。它非常低的导通电阻只有3.5mΩ，这是该MOSFET的另一个独特的特点和PG-TO263-3的非常低的封装成本，使它成为一个非常经济有效的设计和生产目的的解决方案。
一些基本的IPB035N08N3 G的特点及应用下列为：
- 只有3.5mΩ的超低导通电阻和小尺寸使它成为高功率密度电子设计的完美选择。
- 由于低栅电荷和低输入电容，非常适合高频开关应用。
- 低栅电荷仅30 nC, 3.5mΩ产品(FOM)低导通电阻。
- 雪崩能量等级(UIS)使它与许多应用程序兼容。
- 其中一些应用包括
- 开关电源(SMPS)，
- DC-DC转换器
- 母板上的电力输送系统
- 恒流负载
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−酸ce电压 |
VDS |
80 |
Vdc |
门−电压源 −连续 |
VGS |
±20 |
Vdc |
排水−源导通电阻 (VGS = 10 Vdc,ID = 100 Adc) |
RDS(上) |
0.0031 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID 国内流离失所者 |
One hundred. 400 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
214 |
W |
排水−源击穿电压 (VGS = 0, ID = 21 mA) |
V (BR) DSS |
80 |
Vdc |
总门费 |
路上(Max)。 |
117 |
数控 |
栅极阈值电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
2 - 3.5 |
Vdc |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
-55年到 + 175 |
°C |
特点:
- 适用于高频开关和同步。矩形。
- DC/DC变换器的优化技术
- 优良的门电荷x R DS(on)产品(FOM)
- 极低导通电阻RDS(开)
- N通道，正常电平
- 100%雪崩测试
- 符合JEDEC1）的目标应用要求
- 无卤素，符合IEC61249-2-21
应用程序:太阳能、电信,，配电系统，如主板
零件号:IPB035N08N3 G
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同类产品:IPB048N15N5ATMA1，IPB025N10N3GATMA1，IPB014N06NATMA1，IPB011N04NGATMA1
注意:在商店里也不容易买到，但可以在网上买到。
