晶体管是一种三端半导体器件，在电子电路中用作放大器或开关。在这三个端子中，输入电压或电流加到晶体管的一对端子上，并通过另一对端子获得受控的输出电压/电流。

有成千上万种不同类型的晶体管每个晶体管都有不同的参数。晶体管比电阻和118bet金博宝 因为你可以根据所要求的电阻或电容值来选择电阻或电容，但在选择晶体管时，你必须寻找许多晶体管参数．因此，为电路选择合适的晶体管是一项具有挑战性的任务。

下面是一些在选择晶体管时要记住的重要参数。

1.型数

晶体管的类型编号是每个晶体管的唯一编号。通过使用晶体管的类型号，我们可以查找它的规格和特性。有三种主要的编号系统，即。JIS, Pro Electron和JEDEC．日本工业标准采用JIS，欧洲标准采用Pro Electron，美国标准采用JEDEC。如果你从互联网上建立一个电路，那么它可以直接使用在原始电路中使用的晶体管的类型数量。

2.电流增益(β)

在任何电路中，晶体管的电流增益都是一个重要参数。电流增益通常称为β或h_菲．电流是基极电流与集电极电流之比，是晶体管放大能力的量度。如果你想用晶体管作放大器，就选择电流增益高的晶体管。

3.Collector-Emitter电压(V_{首席执行官})

V_{首席执行官}是晶体管集电极-发射极结所能承受的最大电压。对于大多数晶体管，V_{首席执行官}通常为30V或以上，用基极开路测量。施加比V高的电压_{首席执行官}会损坏你的晶体管。所以在使用晶体管之前，检查最大V_{首席执行官}从数据表。

4.发射极基极电压(V_公祭活动)

V_公祭活动是可施加在发射极-基极结上的最大电压。电压高于V_公祭活动会损坏或破坏你的晶体管。V_公祭活动相对小于V_{首席执行官}．最大V_公祭活动对于大多数晶体管来说，电压通常为6V或更多，并通过集电极开路进行测量。

5.集电极-基极电压(V_{国会预算办公室})

V_{国会预算办公室}是通过集电极-基极结所能施加的最大电压，它是通过发射极开路测量的。V_{国会预算办公室}通常为50V或更多。V_{国会预算办公室}相对高于V_{首席执行官}因为集电极到基极的电压往往高于集电极到发射极的电压。

6.集电极电流(我_C)

集电极电流是流经集电极的最大电流。它通常被定义为毫安，但对于大功率晶体管，它被定义为安培。集电极电流不能超过其最大值，否则会损坏晶体管。你可以用电阻器来限制集电极电流。

7.总功耗(ptt)

它是晶体管耗散的总功率。功率耗散因晶体管的不同而不同。对于小型晶体管，其额定功率在几百毫瓦左右，但对于大功率晶体管，其额定功率以瓦为单位。通过将集电极电流乘以设备本身的电压，可以计算整个设备的功耗。

所以这些是一些基本参数，以选择正确的晶体管为您的应用程序。如果您正在使用PCB，那么您还应该检查晶体管的封装类型。