最受欢迎和常用的电力电子开关装置是BJT.那Mosfet.,118金宝搏 ．但是当涉及到开关交流波形时，我们经常会注意到三条第三件用于在两个方向上切换电流。现在，以来三条双子杆菌不能对称射击/触发它伴随着称为DIAC的支持组件。DIAC是一种双端装置，其可以基于施加施加的电压作为开关。在本文中，我们将了解更多有关DIAC，其建筑，工作和应用的信息。所以让我们开始......

什么是生物？

DIAC术语代表了迪颂歌一种lterteration.C电流(DIAC)，它是一个双向半导体开关这可以在前向和反向方向上打开。该设备是一个成员晶闸管家庭，它主要用于触发三端双向可控硅和其他基于晶闸管的电路。如果施加的电压超出其断裂电压，则DIAC开始进行电流。

DIAC可用不同类型的DIAC套餐例如小型带铅封装中的离散组件、表面安装封装、用螺栓固定到底盘上的大型封装以及各种其他封装。大多数时候DIAC和TRIAC.一起使用，因此它们也可以在集成包中使用。

双向开关二极管,象征

DIAC由两个象征给出二极管并联连接彼此并联连接并具有两个端子。由于DIAC是双向的，我们不能将这些终端命名为阳极和阴极，终端的双向开关二极管简单地称为A1和A2或MT1和MT2，其中MT代表主终端。因此插脚引线的双向开关二极管就像电阻器或陶瓷电容器一样是可逆的。

你本可以注意到，虽然它属于可控硅家族没有控制门终端因为它们可以通过简单地降低下方的电压水平来打开或关闭雪崩击穿电压在两种极性中都可以做到。

双向开关二极管结构

双向开关二极管的建设将会十分类似于晶体管的结构,但是他们有一些不同但没有任何终端,所有的三层有相同数量的兴奋剂,它提供了对称开关特性在外加电压的极性。

上图显示了典型的施工．如前所述，DIAC有两个终端，即MT1和MT2，它可以向两个方向提供电流．DIAC由五层结构构成;靠近终端的层是正层和负层的组合。当电压被传递到各极性的电压层的终端被激活时，两个极性的结合有助于在两个方向上操作DIAC

DIAC工作原理

上述图像示出了与极性相应的DIAC的清晰操作。考虑MT1端子是阳性的，然后将激活MT1附近的P1层，因此将按P1-N2-P2-N3的顺序进行传导。当电流从MT1流到MT2时，P1-N2和P2-N3之间的结是正向偏置的，并且N2-P2之间的结是反向偏置的。

同样地，如果我们认为MT2端是正的，那么MT2附近的P2层将被激活，传导将按照P2- n2 - p1 - n1的顺序进行。电流从MT2流向MT1, P2-N2和P1- n1之间的结为正向偏置，N2- P1之间的结为反向偏置。因此，两个方向的传导都是可能的。

DIAC的VI特征

这v-i特征曲线的糖类将呈Z形状，并且曲线将躺在第一和第三象限上，因为它们的正极性和负极性都是如此。第一象限表示正半周期，其中电流将从MT1流到MT2，第二象限表示电流将从MT2流到MT1的负半个次循环。

最初，由于层之间的反向偏置结，所以DIA的电阻将更高，所以将存在小漏电流流经DIAC，被提到的是阻止状态的曲线。一旦施加的电压达到击穿电压，DIAC的电阻突然下降，然后开始导通，导致电压急剧下降，电流开始增加，这被称为传导状态的曲线。大多数DIAC将具有约30伏的击穿电压，精确的击穿电压将基于设备的类型。DIAC将在其中进行状态直到当前达到称为的特定值保持当前，其中保持电流是设备保持在ON状态所需的最小电流。

如何使用DIAC?

DIACS主要用于三端双向可控硅电路，因为TRIAC由于装置的两半之间的略有差异而不会对称地进行对称的电路。非对称射击和产生的波形会产生不必要的谐波在输出中，波形的对称性越大，谐波越大。

DIAC与TRIAC的栅极串联连接，以解决由于非对称烧制而导致的问题。DIAC可以帮助在两次循环中对称切换，因为它具有比TRIAC更均匀的切换特性。DIAC可以防止任何栅极电流流动，直到施加的电压在任何方向上达到一定的电压，因此即使在两个方向上也会更加触发。

糖尿病的应用

如果您希望三次自由束自行转移基辅需要向栅极提供正面或负脉冲，以便提供对称烧制，DIAC主要与TRIAC电路一起使用。这DIACS用于触发TRIAC或其他种类的晶闸管，除此之外，它们没有许多用途。diac被用作各种应用的触发设备，例如电机调速、调光、热控制等相位控制电路以及许多其他控制电路。让我们研究光调光器和热控制电路的示例。

热控制：

上述电路显示了用于平滑控制加热器交流电源的diac -可控硅组合的典型结构。电容C1和扼流圈L形成一个LC电路，当可控硅处于OFF状态时，可以减缓可控硅电压的上升。R2是用于控制半周期和电阻器R4的施加电压的电位计确保了平滑的控制。TRIAC导入越来越越大，热量从加热器散发出来，因此这里的DIAC用于提供从加热器的热量的光滑控制。

光调光器：

上述电路显示了RC相移网络和DIAC控制的可控硅调光应用。施加到可控硅栅极端子上的电压随涉及电阻R3和电容C3的RC安排而变化。当设备处于OFF状态时，电压上升速率受到连接在可控硅上的R4-C1系列网络的限制。

一旦从230V电源施加输入电压，电容器C1和C2开始充电，充电速率由可变电阻R2决定。一旦电容C3的电压超过了DIAC的击穿电压，就会触发，DIAC开始导电，这将放电电容C3，栅极脉冲被给到可控硅。栅极脉冲打开可控硅，电流开始流过灯。通过改变R2中的电阻，电容的充电速率也会发生变化，这反过来又会改变可控硅在正负半周期中触发的电压速率。可控硅的点火角度可以改变到180度，因此，负载电压是co